КТ209В PNP транзистор (500мА 15В) (һ21э 80-240) 0,2 W (ТО92)
3,80 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн
- В наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: КТ209В
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
КТ209В
Транзистори КТ209В кремнієві епітаксиально-планарні структури p-n-p підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц.
Призначені для застосування в підсилювальних і імпульсних микромодулях і блоках герметизованою апаратури загального призначення.
Випускаються в пластмасовому корпусі з гнучкими висновками.
Транзистори мають два варіанти маркування:
Варіант 1 - корпус наноситься буква: КТ209А - А, КТ209Б - Б, КТ209Б1 - Б1, КТ209В - В, КТ209В1 - В1, КТ209В2 - В2, КТ209Г - Р, КТ209Д - Д, КТ209Е - Е КТ209Ж - Ж, КТ209И - І, КТ209К - ДО, КТ209Л - Л, КТ209М - М.
Варіант 2 - на бічну поверхню корпусу наноситься мітка сірого кольору і на торці мітка: КТ209А - темно-червона, КТ209Б - жовта, КТ209В - темно-зелена, КТ209Г - блакитна, КТ209Д - синя, КТ209Е - біла, КТ209Ж - коричнева, КТ209И - срібляста, КТ209К - помаранчева, КТ209Л - світло-тютюнова, КТ209М - сіра.
Маса транзистора не більше 0,3 р.
Тип корпусу: КТ-26 (ТО-92).
Кліматичне виконання: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категорія якості: «ВТК».
Технічні умови:
- приймання «1» аА0.336.065 ТУ/02.
Мінімальний термін зберігання не менше 12 років з дня виготовлення.
Імпортний аналог: MPS404, 2SA642.
Технічні характеристики транзисторів КТ209:
Тип транзистора | Структура | Граничні значення параметрів при Тп=25°С | Значення параметрів при Тп=25°С | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ІК. макс. | ІК. в. макс. | UКБО макс. | UКЭR макс. | UЭБО макс. | РК. макс. | һ21Э | UКБ | ІЕ | UКЭ нас. | ІКБО | fгp. | ||
мА | мА | В | В | В | мВт | В | мА | В | мкА | МГц | |||
КТ209А | p-n-p | 300 | 500 | 15 | 15 | 10 | 200 | 20...60 | 1 | 30 | 0,4 | - | 5 |
КТ209Б | p-n-p | 300 | 500 | 15 | 15 | 10 | 200 | 40...120 | 1 | 30 | 0,4 | - | 5 |
КТ209В | p-n-p | 300 | 500 | 15 | 15 | 10 | 200 | 80...240 | 1 | 30 | 0,4 | - | 5 |
КТ209Г | p-n-p | 300 | 500 | 30 | 30 | 10 | 200 | 20...60 | 1 | 30 | 0,4 | - | 5 |
КТ209Д | p-n-p | 300 | 500 | 30 | 30 | 10 | 200 | 40...120 | 1 | 30 | 0,4 | - | 5 |
КТ209Е | p-n-p | 300 | 500 | 30 | 30 | 10 | 200 | 80...240 | 1 | 30 | 0,4 | - | 5 |
КТ209Ж | p-n-p | 300 | 500 | 45 | 45 | 20 | 200 | 20...60 | 1 | 30 | 0,4 | - | 5 |
КТ209И | p-n-p | 300 | 500 | 45 | 45 | 20 | 200 | 40...120 | 1 | 30 | 0,4 | - | 5 |
КТ209К | p-n-p | 300 | 500 | 45 | 45 | 20 | 200 | 80...160 | 1 | 30 | 0,4 | - | 5 |
КТ209Л | p-n-p | 300 | 500 | 60 | 60 | 20 | 200 | 20...60 | 1 | 30 | 0,4 | - | 5 |
КТ209М | p-n-p | 300 | 500 | 60 | 60 | 20 | 200 | 40...120 | 1 | 30 | 0,4 | - | 5 |
Умовні позначення електричних параметрів транзисторів:
• Ік. макс - максимально допустимий постійний струм колектора транзистора.
• Ік. в. макс - максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• Uкбо макс - максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутому ланцюзі емітера.
• UкэR. макс - максимальна напруга між колектором і емітером при заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база - емітер транзистора.
• Uкэомакс - максимальна напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера.
• Uэбомакс - максимально допустима постійна напруга емітер-база при струмі колектора, рівному нулю.
• Рк. макс - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора.
• Рк. в. макс - максимально допустима імпульсна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора.
• һ21Э - статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора.
• һ21Э - коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора в режимі малого сигналу в схемі з загальним емітером.
• Uкб - напруга колектор-база транзистора.
• Uкэ - напруга колектор-емітер транзистора.
• Іе - струм емітера транзистора.
• Ік - постійний струм колектора транзистора.
• Uкэ нас. - напруга насичення між колектором і емітером транзистора.
• Ікбо - зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера.
• IкэR - зворотний струм колектор-емітер при заданому опорі в ланцюзі база-емітер. Струм в колі колектор-емітер при заданій зворотній напрузі колектор-емітер і заданому опорі в ланцюзі база-емітер.
• fгр- гранична частота коефіцієнта передачі струму.
• fh21 - гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора.
Основні | |
---|---|
Максимально допустима напруга колектор-емітер | 15 В |
Максимально допустимий струм колектора | 0.6 А |
Матеріал корпусу | Пластик |
Тип біполярного транзистора | P-N-P |
Тип монтажу | Ручний монтаж |
Тип транзистора | Біполярний |
Виробник | MPS |
Користувацькі характеристики | |
Країна походження | СРСР |
- Ціна: 3,80 ₴
- Спосіб упаковки: упаковка 100 шт