КТ399АМ кремнієвий транзистор NPN (1800мГц 15В) (ТО92)

КТ399АМ
Транзистори КТ399АМ кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 400 МГц.
Призначені для застосування у вхідних і наступних каскадах підсилювачів високої і надвисокої частот.
Випускаються в пластмасовому корпусі з гнучкими висновками.
На транзисторах КТ399АМ маркування дається в скороченому вигляді: 399А.
Маса транзистора не більше 0,5 р.
Тип корпусу: КТ-26 (ТО-92).
Кліматичне виконання: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категорія якості: «ВТК».
Технічні умови:
- приймання «1» аА0.336.257 ТУ.
Мінімальний термін зберігання не менше 12 років з дня виготовлення.
Імпортний аналог: 2SC1789, 2SC988B.

Основні технічні характеристики транзистора КТ399АМ:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постійна розсіює потужність колектора: 150 мВт;
• fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми з спільним емітером: не менше 1800 МГц;
• Uкэо max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора і розімкнутого ланцюга бази: 15 В;
• Uэбо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 3 В;
• Ік max - Максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА;
• Ік max - Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 40 мА;
• Ікбо - Зворотний струм колектора - струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера: не більше 0,5 мкА;
• һ21э - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схеми з спільним емітером: понад 40;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більше 1,7 пФ;
• Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: не більше 2 дБ на частоті 400 МГц;
• tк - Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 8 пс

Технічні характеристики транзисторів КТ399АМ:

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.