Продавець Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти розвиває свій бізнес на Prom.ua 11 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
1035 відгуків

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (завтра, 07.11).

+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Кошик

КТ645Б транзистор NPN (300 mA 40В) (h21Е >80) (ТО92)

3,70 ₴

  • В наявності
  • Код: КТ645Б
КТ645Б транзистор NPN (300 mA 40В) (h21Е >80) (ТО92)
КТ645Б транзистор NPN (300 mA 40В) (h21Е >80) (ТО92)В наявності
3,70 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

КТ645Б транзистор NPN (300 mA 40В)  (ТО92)


 

 

КТ645Б
Транзистори КТ645Б кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n швидкодійні, високочастотні.
Призначені для застосування у високочастотних генераторах і підсилювачах, у швидкодійних імпульсних пристроях.
Випускаються в пластмасовому корпусі з гнучкими виведеннями.
Маркуються цифро-букваним на корпусі транзистора.
Маса транзизора не більш ніж 0,3 г.
Тип корпусу: КТ-26 (ТО-92).
Вид кліматичного виконання: «УХЛ5.1» за ГОСТом 15150-69.
Категорія якості: «ОТК».
Технічні умови:
  — приймання «1» АА0.336.333ТУ.
Мінімальний термін зберігання не менш ніж 12 років від дня виготовлення.
Імпортний аналог: HSE401, 2SC714, 2SC944, BC547A.

Основні технічні характеристики транзизора КТ645Б:
• Структура транзизора: n-p-n;
• РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 0,5 Вт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним імітером: не менш ніж 200 МГц;
• Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 40 В;
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 0,3 А;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення еміттера: не більш ніж 10 мкА (60 В);
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: понад 80;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 5 ПФ

Технічні характеристики транзисторів КТ645А, КТ645Б:

Тип
транзизора
Структура Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C Значення параметрів за Тп = 25 °C
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт   В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С
КТ645А n-p-n 0,3 0,6 50 60 4 0,5 20…200 0,5 <10 <10 - >200 <5 <50 150 -40…+85
КТ645Б n-p-n 0,3 0,6 40 40 4 0,5 >80 0,05 <10 <10 - >200 <5 <50 150 -40…+85


Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• IКЭR — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-іміттер.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.

Характеристики
Основні
Максимальна потужність розсіювання0.5 Вт
Максимально допустима напруга колектор-база60 В
Максимально допустима напруга колектор-емітер60 В
Максимально допустимий струм колектора0.3 А
Матеріал корпусуПластик
Тип біполярного транзистораN-P-N
Тип монтажуРучний монтаж
Тип транзистораБіполярний
Користувацькі характеристики
виготовленняДискретне
Країна походженняCCCP
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3,70 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner