П216Г транзистор германієвий PNP (7,5А 50В) (h21Э 5) 30W
19,40 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн
- В наявності
- Код: П216Г
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
П216Г
Транзистори П216Г німецькі сплавні структури p-n-p універсальні.
Призначені для застосування в перемикачах, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги.
Випускаються в металостекуваному корпусі з жорсткими виведеннями.
Тип приладу вказаний на корпусі.
Маса транзизора не більш ніж 12,5 г, кріпильного фланця не більш ніж 4,5 г.
Технічні умови: СІ3.365.017 ТУ.
Технічні характеристики транзисторів П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д:
| Тип транзизора |
Структура | Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C | Значення параметрів за Тп = 25 °C | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭ0 max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКБ | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| П216 | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 40 | 15 | (30) | >18 | 0,75 | 0,5 | 40 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
| П216А | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 40 | 15 | (30) | 20…80 | 0,75 | 0,5 | 40 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
| П216Б | p-n-p | 7,5 | - | 30 | 30 | 15 | (24) | >10 | 0,5 | 1,5 | 20 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
| П216В | p-n-p | 7,5 | - | 30 | 30 | 15 | (24) | >30 | 0,5 | 2 | 20 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
| П216Г | p-n-p | 7,5 | - | 50 | 50 | 15 | (24) | >5 | 0,5 | 2,5 | 50 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
| П216Д | p-n-p | 7,5 | - | 50 | 50 | 15 | (24) | 15…30 | 0,5 | 2 | 20 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.
| Основні | |
|---|---|
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 40 В |
| Матеріал корпусу | Металоскло |
| Тип біполярного транзистора | P-N-P |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувацькі характеристики | |
| виготовлення | Дискретне |
- Ціна: 19,40 ₴
