ГТ322В германієвий транзистор PNP 80 МГц (0,1mА 25В) (h21э: 20...200) Ni (ТО18)

ГТ322В германієвий транзистор PNP 80 МГц (0,1mА 25В) (h21э: 20...200) Ni (ТО18)

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

ГТ322В
Транзисторы ГТ322В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях промежуточной и высокой частот.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Корпус транзистора электрически соединен с дополнительным (четвертым) выводом и может быть использован в качестве экрана.
Выводы эмиттера, базы и коллектора электрически изолированы от корпуса транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2SA256, 2SA339, AF275, AF426, AF427, AF428, AF429, GFY50.

Основные технические характеристики транзистора ГТ322Б:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 80 МГц;
Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,25 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 4 мкА при 25 В;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...120 при 5В, 1мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,8 пФ при 5В;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 1,6 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс

Технические характеристики транзисторов ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В:

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКБ - постоянное напряжение коллектор-база транзистора.
• UКЭ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора.
• IЭ - постоянный ток эмиттера транзистора.
• IК - постоянный ток коллектора транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• fгр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.