FGA30S120P потужний IGBT транзистор з n-канальною провідністю 1300V, 60A 348W TO247
170,60 ₴
- Готово до відправки
- Код: FGA30S120P kh rep
FGA30S120P потужний IGBT транзистор з n-канальною провідністю 1300V, 60A 348W TO247Готово до відправки
170,60 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Характеристики:
| Напруга колектор емітер (UCES), В | 1300 | |
| Максимально допустимий струм колектора (Ic), А | 60 | |
| Максимально допустимий струм колектора при 100°C (Ic(100°C)), А | 30 | |
| Максимальна потужність (Pмакс), Вт | 348 | |
| Напруга насичення колектор-емітер (UCE(on)), В | 1.9 | |
| Максимальний імпульсний струм колектора (Icm), А | 150 | |
| Наявність діода | є | |
| Максимальний прямий струм діода (IF), А | 60 | |
| Час спаду (tof), нс | 620 | |
| Час наростання (ton), нс | 39 | |
| Повний заряд затвору, нКл | 78 |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 348 Вт |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Матеріал корпусу | Металокераміка |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувацькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
Інформація для замовлення
- Ціна: 170,60 ₴
