2Т809А транзистор кремнієвий NPN (5А 400В) 40W (5-я приймання "воєнка")
103,80 ₴
- В наявності
- Код: 2Т809А
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
2Т809А транзистор NPN (5 А 400 В) 40W
2Т809А
Транзистори 2Т809А кремнієві мезапланарні структури n-p-n перемикачні.
Призначені для застосування в перемикальних і імпульсних пристроях.
Корпус металевий зі скляними ізоляторами та жорсткими виведеннями.
Маса транзизора без накладного фланця не більш ніж 22 г.
Маса накидного фланця не більш ніж 12 г.
Тип корпусу: КТЮ-3-20.
Технічні умови: Ге3.365.017 ТУ.
Основні технічні характеристики транзизора 2Т809А:
• Структура транзизора: n-p-n;
• Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 40 Вт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним евітером: не менш ніж 5,1 мГц;
• UKer max — Максимальна напруга колектор-емітер за заданого струму колектора та заданого опору в ланцюзі база-емітер: 400 В;
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А;
• Iк і max — Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 5 А;
• Iкер — зворотний струм колектор-емітер за заданих зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-емітер: 3 мА (400 В);
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним імітером: 15... 100;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 270 ПФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 0,75 Ом
Технічні характеристики транзисторів 2Т809А, КТ809А:
Тип транзизора |
Структура | Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C | Значення параметрів за Тп = 25 °C | TП max |
Т max |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IК max |
IК. И. max |
UКЕR max (UКЕ0 max) |
UКБ0 max | UЕБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЕ нас. |
IКБО | IЕБО | f гp. | КШ | ЗК | ЗЕ | ||||
А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
2Т809А | n-p-n | 3 | 5 | 400 | - | 4 | 40 | 15…100 | <1,5 | - | 50 | >5,1 | - | <270 | - | 150 | -60...+125 |
КТ809А | n-p-n | 3 | 5 | 400 | - | 4 | 40 | 15…100 | <1,5 | - | 50 | >5,1 | - | <270 | - | 150 | -60...+125 |
Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЕR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЕ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЕБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЕ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЕБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• ЗК - ємність колекторного переходу.
• ЗЕ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.
Основні | |
---|---|
Максимальна потужність розсіювання | 40 Вт |
Максимально допустима напруга колектор-емітер | 400 В |
Максимально допустимий струм колектора | 5 А |
Матеріал корпусу | Металокераміка |
Тип біполярного транзистора | N-P-N |
Тип монтажу | Ручний монтаж |
Тип транзистора | Біполярний |
Користувацькі характеристики | |
NPN | POWER TRANSISTOR |
виготовлення | Дискретне |
Технічний опис | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 103,80 ₴