ГТ329Б германієві планарні структури n-p-n підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 400 МГц.

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

ГТ329Б
Транзистори ГТ329Б планарні германієві структури n-p-n підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 400 МГц.
Призначені для застосування у вхідних та наступних каскадах підсилювачів високої та надвисокої частот.
Використовуються для роботи у електронній апаратурі загального призначення.
Випускаються в металостеклянному корпусі з гнучкими смужковими виводами.
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзистора трохи більше 1 р.
Кліматичне виконання: «УХЛ».
Категорія якості: ВТК.
Технічні умови: ЩТ3.365.057-2ТУ.
Гарантійний термін зберігання – не менше 10 років з моменту виготовлення.
Імпортний аналог: 2N5043.

Основні технічні характеристики транзистора ГТ329Б:
• Структура: n-p-n
• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 50 мВт;
• Fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1700 МГц;
• Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 10 В;
• Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 0,5 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА при 10 В;
• h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 15...300 при 5В, 5мА;
• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 2 пФ при 5В;
• Кш – коефіцієнт шуму транзистора: не більше 6 дБ на частоті 400 МГц;
• tк - Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 30 пс

Технические характеристики транзисторов ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г:

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.