Продавець Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти розвиває свій бізнес на Prom.ua 11 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
989 відгуків
+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Кошик

КП303Ж транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72)

20,70 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн

  • Готово до відправки
  • Код: КП303Ж-NI
КП303Ж транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72)
КП303Ж транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72)Готово до відправки
20,70 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

КП303Ж транзистор полевой N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72)

  

 

 

КП303Ж
Транзисторы КП303Ж кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - Ц20.336.601ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N3821, D110-1, 2N3821.

Основные технические характеристики транзистора :
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,3... 3 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 0,3...3 мА;
• S - Крутизна характеристики: 1... 4 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ

  

  • Характеристики
  • Задать вопрос
  • Предприятие ВПК России
  • Характеристики полевых транзисторов c p-n переходом и каналом p-типа
    КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е  КП303Ж, КП303И:

    Тип
    полевого транзистора
    Р МАКС f МАКС Предельные значения параметров при Т=25°С Значения параметров при Т=25°С Т ОКР
    UСИ МАКС UЗС МАКС UЗИ МАКС IС МАКС UЗИ ОТС g22И IЗ УТ S IС НАЧ C11И C12И КШ
    мВт МГц В В В мА В мкСм нА мА/В мА пФ пФ дБ °С
    КП303А 200 - 25 30 30 20 0,5…3 - <1 1…4 0,5…2 <6 <2 - -40…+85
    КП303Б 200 - 25 30 30 20 0,5…3 - <1 1…4 0,5…2 <6 <2 - -40…+85
    КП303В 200 - 25 30 30 20 1…4 - <1 2…5 1,5…5 <6 <2 - -40…+85
    КП303Г 200 - 25 30 30 20 <8 - <0,1 3…7 3…12 <6 <2 - -40…+85
    КП303Д 200 - 25 30 30 20 <8 - <1 >2,6 3…9 <6 <2 <4 -40…+85
    КП303Е 200 - 25 30 30 20 <8 - <1 >4 5…20 <6 <2 <4 -40…+85
    КП303Ж 200 - 25 30 30 20 0,3…3 - <5 1…4 0,3…3 <6 <2 - -40…+85
    КП303И 200 - 25 30 30 20 0,5…2 - <5 2…6 1,5…5 <6 <2 - -40…+85

    Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
    • Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
    • f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
    • UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
    • UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
    • UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
    • IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
    • UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
    • g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
    • IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
    • S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
    • IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
    • C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
    • C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
    • КШ - коэффициент шума транзистора.
    • Т ОКР - температура окружающей среды.
Характеристики
Основні
Максимальна потужність розсіювання0.2 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Матеріал корпусуМеталоскло
Тип монтажуРучний монтаж
Тип транзистораПольовий
Користувацькі характеристики
виготовленняДискретне
Країна походженняСРСР
Інформація для замовлення
  • Ціна: 20,70 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner