КТ321В транзистор NPN кремнієві епітаксійно-планарні імпульсні (Тип корпусу КТЮ-3-6.)

КТ321В

Транзистори КТ321В кремнієві, епітаксійно-планарні структури p-n-p імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають.
Використовуються у електронній апаратурі загального призначення.
Випускаються у металостеклянному корпусі з гнучкими висновками.
Маркуються цифро-літерним кодом на корпусі транзистора.
Маса транзистора трохи більше 2,2 р.
Тип корпусу КТЮ-3-6.
Кліматичне виконання: "УХЛ", категорія розміщення "3.1".
Категорія якості: ВТК.
Технічні умови:
   - приймання «1» - аА0.336.393ТУ.
Імпортний аналог: BSV64, 2N1259.

Основні технічні характеристики транзистора КТ321В:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 210 мВт;
• Рк і max - Максимально допустима імпульсна потужність колектора, що розсіюється: 20 Вт;
• fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 60 МГц;
• Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В;
• Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 200 мА;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,1 мА;
• h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...60;
• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 80 пФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 3,6 Ом

• Технические характеристики транзисторов КТ321А, КТ321Б, КТ321В, КТ321Г, КТ321Д, КТ321Е:

  Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
  		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	f гp.	КШ	СК	СЭ
  		мА	А	В	В	В	мВт		В	мкА	мкА	МГц	дБ	пФ	пФ	°С	°С
  КТ321А	p-n-p	200	2	50	60	4	210	20…60	2,5	100	100	>60	-	80	250	150	-60…+125
  КТ321Б	p-n-p	200	2	50	60	4	210	40…120	2,5	100	100	>60	-	80	250	150	-60…+125
  КТ321В	p-n-p	200	2	50	60	4	210	40…400	2,5	100	100	>60	-	80	250	150	-60…+125
  КТ321Г	p-n-p	200	2	40	45	4	210	20…60	2,5	100	100	>60	-	80	250	150	-60…+125
  КТ321Д	p-n-p	200	2	40	45	4	210	40…120	2,5	100	100	>60	-	80	250	150	-60…+125
  КТ321Е	p-n-p	200	2	40	45	4	210	40…400	2,5	100	100	>60	-	80	250	150	-60…+125

  
  Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
  • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
  • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
  • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
  • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
  • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
  • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
  • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
  • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
  • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
  • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
  • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
  • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
  • КШ - коэффициент шума транзистора.
  • СК - емкость коллекторного перехода.
  • СЭ - емкость коллекторного перехода.
  • ТП max - максимально допустимая температура перехода.
  • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.