1Т313В германієвий транзистор PNP структури диффузійно-сплавні універсальний

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

1Т313В
Транзистори 1Т313В германієві дифузійно-сплавні структури p-n-p універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот та перемикаючих пристроїв.
Використовуються для роботи у електронній апаратурі спеціального призначення.
Випускаються у металостеклянному корпусі з гнучкими висновками.
Маркування нанесене цифро-літерним кодом на корпусі транзистора.
Маса транзистора трохи більше 2,0 р.
Кліматичне виконання: "УХЛ", "В".
Категорія якості: "ВП", "ОС".
Технічні умови: ЖК3.365.161ТУ.

Основні технічні характеристики транзистора 1Т313В:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 100 мВт;
• Fгр – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 350 МГц;
• Uкбо - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 12 В;
• Uебо - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 0,7 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 30 мА;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА при 12В;
• h21е - Коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 30...230 при 5В; 5мА;
• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 2,5 пФ при 5В;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 4,6 Ом;
• tк - Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 75 пс

• Технические характеристики транзисторов 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В:

  Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С							TП max	Т max
  		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	f гp.	КШ	СК	СЭ
  		мА	мА	В	В	В	мВт		В	мкА	МГц	дБ	пФ	пФ	°С	°С
  1Т313А	p-n-p	50	-	12	12	0,7	100	10...230	0,7	5	300...1000	8	2,5	18	85	-60…+70
  1Т313Б	p-n-p	50	-	12	12	0,7	100	10...75	0,7	5	450...1000	8	2,5	14	85	-60…+70
  1Т313В	p-n-p	50	-	12	12	0,7	100	30...230	0,7	5	350...1000	8	2,5	14	85	-60…+70

  
  Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
  • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
  • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
  • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
  • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
  • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
  • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
  • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
  • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
  • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
  • IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
  • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
  • КШ - коэффициент шума транзистора.
  • СК - емкость коллекторного перехода.
  • СЭ - емкость коллекторного перехода.
  • ТП max - максимально допустимая температура перехода.
  • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.