Продавець Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти розвиває свій бізнес на Prom.ua 11 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
926 відгуків

Звертаємо Вашу увагу, що замовлення можуть оброблятися та відвантажуватися із затримкою (на час війни).

+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Кошик

1Т313В германієвий транзистор PNP структури диффузійно-сплавні універсальний

18,50 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн

  • В наявності
  • Код: 1Т313В
1Т313В германієвий транзистор PNP структури диффузійно-сплавні  універсальний
1Т313В германієвий транзистор PNP структури диффузійно-сплавні універсальнийВ наявності
18,50 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

  

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

1Т313В
Транзистори 1Т313В германієві дифузійно-сплавні структури p-n-p універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот та перемикаючих пристроїв.
Використовуються для роботи у електронній апаратурі спеціального призначення.
Випускаються у металостеклянному корпусі з гнучкими висновками.
Маркування нанесене цифро-літерним кодом на корпусі транзистора.
Маса транзистора трохи більше 2,0 р.
Кліматичне виконання: "УХЛ", "В".
Категорія якості: "ВП", "ОС".
Технічні умови: ЖК3.365.161ТУ.

Основні технічні характеристики транзистора 1Т313В:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 100 мВт;
• Fгр – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 350 МГц;
• Uкбо - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 12 В;
• Uебо - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 0,7 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 30 мА;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА при 12В;
• h21е - Коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 30...230 при 5В; 5мА;
• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 2,5 пФ при 5В;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 4,6 Ом;
• tк - Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 75 пс

  • Технические характеристики транзисторов 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В:

    Тип
    транзистора
    Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
    max
    Т
    max

    max
    IК. И.
    max
    UКЭR max
    (UКЭ0 max)
    UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
    нас.
    IКБО f гp. КШ СК СЭ
    мА мА В В В мВт   В мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
    1Т313А p-n-p 50 - 12 12 0,7 100 10...230 0,7 5 300...1000 8 2,5 18 85 -60…+70
    1Т313Б p-n-p 50 - 12 12 0,7 100 10...75 0,7 5 450...1000 8 2,5 14 85 -60…+70
    1Т313В p-n-p 50 - 12 12 0,7 100 30...230 0,7 5 350...1000 8 2,5 14 85 -60…+70

    Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
    • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
    • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
    • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
    • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
    • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
    • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
    • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
    • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
    • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
    • IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
    • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
    • КШ - коэффициент шума транзистора.
    • СК - емкость коллекторного перехода.
    • СЭ - емкость коллекторного перехода.
    • ТП max - максимально допустимая температура перехода.
    • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
Характеристики
Основні
Максимально допустима напруга колектор-емітер15 В
Максимально допустимий струм колектора0.5 А
Матеріал корпусуМеталоскло
Тип біполярного транзистораP-N-P
Тип монтажуРучний монтаж
Тип транзистораБіполярний
Користувацькі характеристики
виготовленняДискретне
Країна походженняСРСР
Інформація для замовлення
  • Ціна: 18,50 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner