Продавець Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти розвиває свій бізнес на Prom.ua 11 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
987 відгуків

Звертаємо Вашу увагу, що замовлення можуть оброблятися та відвантажуватися із затримкою (на час війни).

+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Кошик

КП307Б транзистор польовий з затвором на основі p-n переходу і каналом n-типу. (250 mW 27В) Ni (ТО72)

20,80 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн

  • В наявності
  • Код: КП307Б-NI SOKH
КП307Б транзистор польовий з затвором на основі p-n переходу і каналом n-типу. (250 mW 27В) Ni (ТО72)
КП307Б транзистор польовий з затвором на основі p-n переходу і каналом n-типу. (250 mW 27В) Ni (ТО72)В наявності
20,80 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

  

 

 

КП307Б
Транзистори КП307Б кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі p-n переходу та каналом n-типу.
Призначені для застосування у вхідних та вихідних каскадах підсилювачів високої та низької частот з високим вхідним опором.
Випускаються у металостеклянному корпусі з гнучкими висновками.
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзистора трохи більше 0,5 р.
Тип корпусу КТ-1-12.
Кліматичне виконання: "УХЛ", категорія розміщення "2.1".
Категорія якості: ВТК.
Технічні умови:
   - Прийомка «1» - аА0.336.046ТУ.
Гарантійний термін зберігання – не менше 10 років з моменту виготовлення.
Імпортний аналог: 2N4220, 2N4223, MMBF5484, KK5105, J300, SMPJ300A, KK4382.

Основні технічні характеристики транзистора КП307Б:
• Структура транзистора: з p-n-переходом та n-каналом;
• Рсі max - потужність, що розсіюється, стік-витік: 250 мВт;
• Uзі отс - напруга відсічення транзистора - напруга між затвором і витоком: 1... 5 В;
• Uсі max - Максимальна напруга сток-витік: 25 В;
• Uзс max - Максимальна напруга затвор-стік: 27 В;
• Uзі max - Максимальна напруга затвор-витік: 27 В;
• Iс - Струм стоку (постійний): 25 мА
• Iс поч - Початковий струм стоку: трохи більше 5 мА;
• S - Крутизна характеристики: 5...10 мА/В (10В);
• С11і – Вхідна ємність транзистора – ємність між затвором та витоком: не більше 5 пФ;
• С12і - Ємність зворотного зв'язку у схемі із загальним витоком при короткому замиканні на вході по змінному струму: не більше 1,5 пФ

  • Характеристики полевых транзисторов c p-n переходом и каналом n-типа
    КП307А, КП307Б, КП307Г, КП307Е, КП307Ж:

    Тип
    полевого транзистора
    Р МАКС f МАКС Предельные значения параметров при Т=25°С Значения параметров при Т=25°С Т ОКР
    UСИ МАКС UЗС МАКС UЗИ МАКС IС МАКС UЗИ ОТС g22И IЗ УТ S IС НАЧ C11И C12И КШ
    мВт МГц В В В мА В мкСм нА мА/В мА пФ пФ дБ °С
    КП307А 250 400 27 27 27 25 0,5…3 - <1 4…9 3…9 <5 <1,5 - -40…+85
    КП307Б 250 400 27 27 27 25 1…5 - <1 5…10 1…5 <5 <1,5 - -40…+85
    КП307Г 250 400 27 27 27 25 1,5…6 <200 <1 6…12 1,5…6 <5 <1,5 - -40…+85
    КП307Е 250 400 27 27 27 25 <2,5 - <1 3…8 1,5…5 <5 <1,5 - -40…+85
    КП307Ж 250 400 27 27 27 25 <7 - <0,1 >4 3…25 <5 <1,5 - -40…+85

    Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
    • Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
    • f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
    • UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
    • UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
    • UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
    • IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
    • UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
    • g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
    • IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
    • S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
    • IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
    • C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
    • C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
    • КШ - коэффициент шума транзистора.
    • Т ОКР - температура окружающей среды.
Характеристики
Основні
Максимальна потужність розсіювання0.2 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Матеріал корпусуМеталоскло
Тип монтажуРучний монтаж
Тип транзистораПольовий
Користувацькі характеристики
виготовленняДискретне
Країна походженняСРСР
Інформація для замовлення
  • Ціна: 20,80 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner