Продавець Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти розвиває свій бізнес на Prom.ua 11 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
928 відгуків

Звертаємо Вашу увагу, що замовлення можуть оброблятися та відвантажуватися із затримкою (на час війни).

+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Кошик

2Т312В (Au) транзистор NPN (60мА 30В) (h21э: 50-250) 0,25W (військове приймання по якості)

43 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн

  • В наявності
  • Код: 2Т312В Au
2Т312В (Au) транзистор NPN (60мА 30В) (h21э: 50-250) 0,25W (військове приймання по якості)
2Т312В (Au) транзистор NPN (60мА 30В) (h21э: 50-250) 0,25W (військове приймання по якості)В наявності
43 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

2Т312В Au транзистор NPN (IК. И.max=60мА; UКБ0 max=30В) (h21э: 50-250) 0,25W

2Т312В
Транзистори 2Т312В кремнієві епітаксійно-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах.
Використовуються для роботи у електронній апаратурі спеціального призначення.
Випускаються у металостеклянному корпусі з гнучкими висновками.
Маркуються цифро-літерним кодом на корпусі транзистора.
Маса транзистора трохи більше 1,0 р.
Тип корпусу КТЮ-3-1.
Кліматичне виконання: «УХЛ».
Категорія якості: "ВП", "ОС".
Технічні умови:
   - приймання «ВП» ЖК3.365.143ТУ;
   - приймання «ОС» ЖК3.365.143ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубіжний аналог: 2N3708.

Гарантійний термін зберігання транзисторів - 25 років з дати приймання, а у разі повторної перевірки виробу - з дати повторної перевірки.
Гарантійне напрацювання:
   - 80000 годин – у всіх режимах, що допускаються ТУ;
   - 100000 годин – у полегшеному режимі.
Гарантійне напрацювання обчислюється в межах гарантійного терміну зберігання.

Основні технічні характеристики транзистора 2Т312В:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 225 мВт;
• fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 120 МГц;
• Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 30 В;
• Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 30 мА;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА;
h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 50...250;
• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 5 пФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 40 Ом;
• tк - Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 500 пс

Технические характеристики транзисторов 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК max
(РК. И. max)
h21Э,
(h21э)
UКЭ
нас.
IКБО f гp.
(f h21)
КШ СК СЭ
мА мА В В В мВт   В мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
2Т312А n-p-n 30 60 30 30 4 225 12…100 0,5 1 80 - 5 20 150 -60…+125
2Т312Б n-p-n 30 60 30 30 4 225 25…100 0,5 1 120 - 5 20 150 -60…+125
2Т312В n-p-n 30 60 30 30 4 225 50…250 0,35 1 120 - 5 20 150 -60…+125


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Характеристики
Основні
Максимально допустима напруга колектор-емітер20 В
Максимально допустимий струм колектора0.1 А
Матеріал корпусуПластик
Тип біполярного транзистораN-P-N
Тип монтажуРучний монтаж
Тип транзистораБіполярний
Користувацькі характеристики
виготовленняДискретне
Країна походженняСРСР
Технічний описзавантажити PDF в специфікації
Інформація для замовлення
  • Ціна: 43 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner