КТ350А транзистор PNP (600мА 15В) (h21э: 20-200) 0,3W (ТО92)

КТ350А транзистор PNP (600мА 15В) (h21э: 20-200) 0,3W (ТО92)

КТ350А
Транзистор КТ350А кремнієвий епітаксійно-планарний структури p-n-p універсальний.
Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають.
Випускається у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками.
Тип транзистора маркується колірним кодом, на корпусі наноситься умовне маркування двома точками сірого та рожевого кольору.
Маса транзистора трохи більше 0,3 р.
Тип корпусу: КТ-26 (ТО-92).
Кліматичне виконання: «УХЛ2.1» згідно з ГОСТ 15150-69.
Категорія якості: ВТК.
Технічні умови:
   - приймання «1» ЩТ3.365.058-5ТУ.
Мінімальний термін зберігання не менше 10 років з дня виготовлення.
Імпортний аналог: 2SA673, 2N5226, 2N978, 2N5221, MPS6562, MPS6563.

Основні технічні характеристики транзистора КТ350А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 300 мВт;
• fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 100 МГц;
• Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В;
• Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В;
• Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА;
• h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...200;
• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 70 пФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 2 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ350А:

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.