КТ349В транзистор PNP (40мА 20В) (h21э: 120-300) 0,2W (ТО92)

КТ349В транзистор PNP (40мА 20В) (h21э: 120-300) 0,2W (ТО92)

КТ349В
Транзистори КТ349В кремнієві епітаксійно-планарні структури p-n-p універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах сигналів високої частоти та пристроях, що перемикають.
Використовуються для роботи у електронній апаратурі загального призначення.
Випускаються у металостеклянному корпусі з гнучкими висновками.
Маркування нанесене цифро-літерним кодом на корпусі транзистора.
Маса транзистора трохи більше 0,5 р.
Тип корпусу TO-92.
Кліматичне виконання: "УХЛ", категорія розміщення "2.1".
Категорія якості: ВТК.
Технічні умови:
   - приймання «1» - ЩТ3.365.058ТУ2.
Гарантійний термін зберігання – не менше 12 років з моменту виготовлення.
Імпортний аналог: 2N5140, BC178A.

Основні технічні характеристики транзистора КТ349В:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 200 мВт;
• fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 300 МГц;
• Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюгу база-емітер: 15 В (10кОм);
• Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 мА;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА;
• h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 120...300;
• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 6 пФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 30 Ом

• Технические характеристики транзисторов КТ349А, КТ349Б, КТ349В:

  Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С							TП max	Т max
  		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. И. max)	h21Э, (h21э)	UКЭ нас.	IКБО	f гp. (f h21)	КШ	СК	СЭ
  		мА	мА	В	В	В	мВт		В	мкА	МГц	дБ	пФ	пФ	°С	°С
  КТ349А	p-n-p	10	40	15	20	4	200	20...80	0,3	1	300	-	6	8	150	-40…+85
  КТ349Б	p-n-p	10	40	15	20	4	200	40...160	0,3	1	300	-	6	8	150	-40…+85
  КТ349В	p-n-p	10	40	15	20	4	200	120...300	0,3	1	300	-	6	8	150	-40…+85

  
  Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
  • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
  • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
  • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
  • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
  • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
  • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
  • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
  • РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
  • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
  • h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
  • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
  • IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
  • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
  • f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
  • КШ - коэффициент шума транзистора.
  • СК - емкость коллекторного перехода.
  • СЭ - емкость коллекторного перехода.
  • ТП max - максимально допустимая температура перехода.
  • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.