Продавець Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти розвиває свій бізнес на Prom.ua 11 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
926 відгуків

Звертаємо Вашу увагу, що замовлення можуть оброблятися та відвантажуватися із затримкою (на час війни).

+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Кошик

2Т837Н (5-я приемка) транзистор PNP (8А 60В) (h21Э =60…150) 30W (ТО220) (військове приймання по якос

41,10 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн

  • В наявності
  • Код: 2Т837Н
2Т837Н (5-я приемка) транзистор PNP (8А 60В) (h21Э =60…150) 30W (ТО220) (військове приймання по якос
2Т837Н (5-я приемка) транзистор PNP (8А 60В) (h21Э =60…150) 30W (ТО220) (військове приймання по якосВ наявності
41,10 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

2Т837Н транзистор PNP (8А 45В) (h21Э =40…180)30W (ТО220)

2Т837Н
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. 
Транзисторы 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Технические условия: аА0.339.411 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т837БН
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 150;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,8 Ом

Технические характеристики транзисторов 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК max
К. Т. max)
h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт   В мА мА мА МГц пФ пФ °С °С
2Т837А p-n-p 8 - 70 80 15 1 (30) 15…120 0,9 <0,15 <0,3 <5 >3 - - 125 -60…+100
2Т837Б p-n-p 8 - 55 60 15 1 (30) 30…150 0,9 <0,15 <0,3 <5 >3 - - 125 -60…+100
2Т837В p-n-p 8 - 40 45 15 1 (30) 40…180 0,9 <0,15 <0,3 <5 >3 - - 125 -60…+100
2Т837Г p-n-p 8 - 70 80 5 1 (30) 15…120 0,9 <0,15 <0,3 <5 >3 - - 125 -60…+100
2Т837Д p-n-p 8 - 55 60 5 1 (30) 30…150 0,9 <0,15 <0,3 <5 >3 - - 125 -60…+100
2Т837Е p-n-p 8 - 40 45 5 1 (30) 40…180 0,9 <0,15 <0,3 <5 >3 - - 125 -60…+100


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Характеристики
Основні
Максимальна потужність розсіювання30 Вт
Максимально допустима напруга колектор-емітер60 В
Максимально допустимий струм колектора8 А
Матеріал корпусуПластик
Тип біполярного транзистораP-N-P
Тип монтажуРучний монтаж
Тип транзистораБіполярний
Користувацькі характеристики
ВиробникЗАТ Кремній Маркетинг м. Брянськ
виготовленняДискретне
Технічний описзавантажити PDF в специфікації
Інформація для замовлення
  • Ціна: 41,10 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner