Продавець Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти розвиває свій бізнес на Prom.ua 11 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
928 відгуків

Звертаємо Вашу увагу, що замовлення можуть оброблятися та відвантажуватися із затримкою (на час війни).

+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Кошик

КТ3117Б транзистор NPN 200 МГц (0,8А 75В) (h21э: 100-300) 3W Au (ТО18)

81,90 ₴

  • В наявності
  • Код: КТ3117Б
КТ3117Б транзистор NPN 200 МГц (0,8А 75В) (h21э: 100-300) 3W Au (ТО18)
КТ3117Б транзистор NPN 200 МГц (0,8А 75В) (h21э: 100-300) 3W Au (ТО18)В наявності
81,90 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

 

КТ3117Б
Транзисторы КТ3117Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные. 
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах. 
Транзисторы КТ3117А, КТ3117Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 
Тип прибора указывается на корпусе и в этикетке.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: аА0.336.262 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ3117Б:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В);
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...200;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ3117А, КТ3117Б:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК max
(РК. И. max)
h21Э,
(h21э)
UКЭ
нас.
IКБО f гp.
(f h21)
КШ СК СЭ
мА мА В В В мВт   В мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
КТ3117А n-p-n 400 800 60 60 4 300 40...200 0,6 10 200 - 10 80 150 -60…+125
КТ3117Б n-p-n 400 800 75 75 4 300 100...300 0,6 10 200 - 10 80 150 -60…+125


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Характеристики
Основні
Максимально допустима напруга колектор-емітер60 В
Максимально допустимий струм колектора0.8 А
Матеріал корпусуМеталоскло
Тип біполярного транзистораN-P-N
Тип монтажуРучний монтаж
Тип транзистораБіполярний
Користувацькі характеристики
виготовленняДискретне
Країна походженняСРСР
Інформація для замовлення
  • Ціна: 81,90 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner