Кошик
1442 відгуків

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (завтра, 17.03).

+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Кошик

CSD19536KCS транзистор MOSFET N-CH 100V 259A 2.7mOhm 118nC, TO-220 375W

162,20 ₴

  • В наявності
  • Код: CSD19536KCS kh
CSD19536KCS  транзистор  MOSFET N-CH 100V 259A 2.7mOhm 118nC, TO-220 375W
CSD19536KCS транзистор MOSFET N-CH 100V 259A 2.7mOhm 118nC, TO-220 375WВ наявності
162,20 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

CSD19536KCS  транзистор  MOSFET N-CH 100V 259A 2.7mOhm 118nC, TO-220 375W

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

 

Manufacturer: Texas Instruments
Product Category: MOSFETs  
RoHS:    
REACH - SVHC:  
Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-220-3
Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Id - Continuous Drain Current: 259 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.7 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.1 V
Qg - Gate Charge: 118 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 375 W
Channel Mode: Enhancement
Tradename: NexFET
Series: CSD19536KCS
Packaging: Tube
Brand: Texas Instruments  
Configuration: Single  
Fall Time: 5 ns  
Forward Transconductance - Min: 307 S  
Height: 16.51 mm  
Length: 10.67 mm  
Product Type: MOSFETs  
Rise Time: 8 ns  
50  
Subcategory: Transistors  
Transistor Type: 1 N-Channel  
Typical Turn-Off Delay Time: 38 ns  
Typical Turn-On Delay Time: 14 ns  
Width: 4.7 mm  
Unit Weight: 2 g
Характеристики
Основні
ВиробникTexas Instruments
Країна виробникКитай
Максимальна потужність розсіювання375 Вт
Максимально допустима напруга стік-витік100 В
Максимально допустимий струм стоку259 А
Матеріал корпусуПластик
Тип монтажуРучний монтаж
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Data sheet:завантажити PDF в специфікації
Корпус транзистора:ТО220
Інформація для замовлення
  • Ціна: 162,20 ₴