Продавець Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти розвиває свій бізнес на Prom.ua 11 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
1035 відгуків

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (сьогодні).

+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Кошик

IRF2805PBF транзистор MOSFET N-CH 55V 175A 4.7mOhm 150nC, TO-220 330W

138,70 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: IRF2805PBF kh
IRF2805PBF  транзистор  MOSFET N-CH 55V 175A 4.7mOhm 150nC, TO-220 330W
IRF2805PBF транзистор MOSFET N-CH 55V 175A 4.7mOhm 150nC, TO-220 330WГотово до відправки
138,70 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

IRF2805PBF  транзистор  MOSFET N-CH 55V 175A 4.7mOhm 150nC, TO-220 330W

Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту

Manufacturer: Infineon
Product Category: MOSFETs  
RoHS:    
Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-220-3
Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 55 V
Id - Continuous Drain Current: 175 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 4.7 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
Qg - Gate Charge: 150 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 330 W
Channel Mode: Enhancement
Packaging: Tube
Brand: Infineon Technologies  
Configuration: Single  
Fall Time: 110 ns  
Forward Transconductance - Min: 91 S  
Height: 15.65 mm  
Length: 10 mm  
Product Type: MOSFETs  
Rise Time: 120 ns  
1000  
Subcategory: Transistors  
Transistor Type: 1 N-Channel  
Typical Turn-Off Delay Time: 68 ns  
Typical Turn-On Delay Time: 14 ns  
Width: 4.4 mm  
Unit Weight: 2 g
Характеристики
Основні
ВиробникInfineon
Країна виробникКитай
Максимальна потужність розсіювання330 Вт
Максимально допустима напруга стік-витік55 В
Максимально допустимий струм стоку175 А
Матеріал корпусуПластик
Тип монтажуРучний монтаж
Тип транзистораПольовий
Користувацькі характеристики
Data sheet:завантажити PDF в специфікації
Корпус транзистора:ТО220
Інформація для замовлення
  • Ціна: 138,70 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner