STGW40V60DF Біполярні транзистори з ізольованим затвором N-Ch 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT

185,40 ₴

STGW40V60DF Біполярні транзистори з ізольованим затвором N-Ch 600V 40A High Speed Trench Gate IGBTВ наявності

185,40 ₴

+380 (97) 608-12-04

Kyivstar

+380 (97) 608-12-04

Kyivstar

повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Характеристики:

Manufacturer:	STMicroelectronics
Product Category:	IGBTs
RoHS:
Technology:	Si
Package/Case:	TO-247
Mounting Style:	Through Hole
Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.35 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	- 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C:	80 A
Pd - Power Dissipation:	283 W
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 175 C
Series:	STGW40V60DF
Packaging:	Tube
Brand:	STMicroelectronics
Gate-Emitter Leakage Current:	250 nA
Product Type:	IGBT Transistors
	600
Subcategory:	IGBTs
Unit Weight:	6,500 g

Характеристики

Основні
Виробник	STMicroelectronics
Країна виробник	Китай
Максимальна потужність розсіювання	283 Вт
Максимально допустима напруга стік-витік	600 В
Максимально допустимий струм стоку	40 А
Матеріал корпусу	Металокераміка
Тип монтажу	Ручний монтаж
Тип транзистора	Польовий
Користувальницькі характеристики
Data sheet:	завантажити PDF в специфікації
MOSFET N-CH	500V 20A
Корпус транзистора:	ТО247

Інформація для замовлення