FGA20N120FTD потужний IGBT транзистор з n-канальною провідністю 1200V, 40A 312W TO-3P

FGA20N120FTD — це високовольтний біполярний транзистор із ізольованим затвором (IGBT), який використовується в схемах силової електроніки.

Характеристики:

Тип транзистора: N-канальний IGBT

Максимальна напруга колектор-емітер (V_CE): 1200 В

Максимальний струм колектора (I_C): 40 А (імпульсний до 80 А)

Напруга насичення V_CE(sat): 2.2 В (при I_C = 20 А)

Максимальна температура переходу (T_J): -55°C до +150°C

Максимальна потужність розсіювання (P_D): 312 Вт

Електричні параметри:

Порогова напруга затвора (V_GE(th)): 4-6 В

Заряд затвора (Q_G): 69 нКл (при V_GE = 15 В)

Частота комутації: До 50 кГц (залежно від застосування)

Особливості:

Низькі втрати при перемиканні.

Висока швидкість перемикання.

Оптимізований для роботи в інверторах, джерелах безперебійного живлення (UPS), і силових перетворювачах.

Корпус:

Тип корпусу: TO-3P

Конфігурація виводів: Колектор, емітер, затвор.

Цей транзистор часто використовується в силових перетворювачах, інверторах двигунів та високовольтних джерелах живлення.