HY3506 транзистор MOSFET N-CH 60V, 190A, 3,5mΩ (Vgs=2-4V) 150W
83,50 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
- В наявності
- Код: HY3506
HY3506 транзистор MOSFET N-CH 60V, 190A, 3,5mΩ (Vgs=2-4V) 150WВ наявності
83,50 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
HY3506 транзистор MOSFET N-CH 60V, 110A, 3,5mΩ (Vgs=2-4V) 150W
Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту
Польовий транзистор
КаналN
Корпус TO-220
Макс. напруга drain-source (Uds), 60v
Макс. напруга gate-source (Ugs), 25v
Макс. імпульсний струм drain (Id), 750 A
Макс. потужність, що розсіюється (Pd), 153W
Макс. температура каналу (Tj), 175 °C
Опір drain-source відкритого транзистора (Rds), 0.035Ом
Вихідна ємність (Cd), 1010pF
Час наростання типовий (tr), 12nS
Макс. постійний струм drain (Id), 190A
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Китай |
| Максимальна потужність розсіювання | 153 Вт |
| Максимально допустимий струм стоку | 190 А |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Польовий |
| Виробник | PD |
| Користувальницькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 100V 80A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 83,50 ₴