HY3208P транзистор MOSFET N-CH 80V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 226W
51 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
- Під замовлення
- Код: HY3208P kh orig
Відправка з 07 квітня 2026
HY3208P транзистор MOSFET N-CH 80V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 226WПід замовлення
51 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
HY3208P транзистор MOSFET N-CH 80V, 120A, 8,5mΩ (Vgs=2-4V) 226W
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
Наименование прибора: HY3208P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 226 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 443 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO220FB
|
|
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Країна виробник | Китай |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 100V 80A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 51 ₴