HY3210P транзистор MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237W
78,80 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
- Немає в наявності
HY3210P транзистор MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237WНемає в наявності
78,80 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
HY3210P транзистор MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237W
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch.
Технічні характеристики
Найменування приладу: HY3210P
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 237 W
Гранично допустима напруга стік-витік |Uds|: 100 V
Гранично допустиме напруження затвор-витік | Ugs |: 25 V
|порогове напруження включення | УГС (th) |: 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку Id |: 120 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 120 nC
Час зростання (tr): 35 ns
Вихідна ємність (Cd): 902 pf
Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпусу: TO220FB
|
|
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Китай |
| Максимальна потужність розсіювання | 237 Вт |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Польовий |
| Виробник | PD |
| Користувальницькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 100V 80A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 78,80 ₴