КТ501Е транзистор PNP (0,5А 30В) (h21е: 80-240) 0,35W Au (ТО18)

КТ501Е транзистор PNP (0,5А 30В) (h21е: 80-240) 0,35W Au (ТО18)

Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту

КТ501Е
Транзистори КТ501М кремнієві епітаксиально-планарні структури p-n-p посилені. 
Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних і імпульсних підсилювачах, перетворювачах.
Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями. 
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзизора не більш ніж 0,6 г.
Тип корпусу: КТ-1-7 (ТО-18).
Технічні умови: АА0.336.064 ТУ.

Основні технічні характеристики транзизора КТ501Е:
• Структура транзизора: p-n-p;
• РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 350 мВт;
• fг — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним імітером: не менш ніж 5 МГц;
• UKer max — Максимальна напруга колектор-емітер за заданого струму колектора та заданого (звичайного) опору в ланцюзі база-емітер: 60 В (10 кОм);
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 10 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА;
• Iк і max — Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 500 мА;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 1 мкА;
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: 20... 60;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 50 ПФ;
• Rке нас — Опір насичення між колектором і емітером: не більш ніж 1,3 Ом

Характеристики транзисторів КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501І, КТ501К, КТ501Л, КТ501М:

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЕR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЕ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЕБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю. 
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЕ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЕБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• IКЕR — зворотний струм колектор-емітер у разі заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-іміттер.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• ЗК - ємність колекторного переходу.
• ЗЕ - ємність колекторного переходу.
• ТП max — максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.