159НТ1А (AU) (5-я приймання) матриця з двох n-p-n транзисторів (для побудови диференціальних підсилювачів)

159НТ1А (AU) (5-я приймання) матриця з двох n-p-n транзисторів (для побудови диференціальних підсилювачів) Мікросхеми являють собою матрицю з двох n-p-n транзисторів (для побудови диференціальних підсилювачів). Корпус типу 301.8-2, маса не більш ніж 1,3 г. Корпус ІМС К159НТ1А-Е Електрична схема 1,8 — вільні; 2 — колектор транзизора VT1; 3 — база транзизора VT1; 4 — еміттер транзизора VT1; 5 — еміттер транзизора VT2; 6 — база транзизора VT2; 7 — колектор транзизора VT2; Електричні параметри 1 Різність напруг еміттер-база транзисторів 159НТ1А-В 159НТ1Г-Е не більш ніж 3 мВ не більш ніж 15 мВ 2 Пряме падіння напруги емітер-база за Ie = 1 мА 0,55...0,75 В 3 Зворотний струм колектор-база не більш ніж 200 нА 4 Зворотний струм емітер-база не більш ніж 500 НА 5 Струм витоку між транзиссторами VT1 і VT2 за U = 20 В не більш ніж 20 НА 6 Коефіцієнт посилення за струмом за UКБ=5 В, IЕ=1 мА 159НТ1А,Г 159НТ1Б,Д 159НТ1В,Е 20...80 60...180 понад 80 7 Ємність емітера на частоті 10 мГц не більш ніж 5 ПФ 8 Ємність колектора на частоті 10 мГц не більш ніж 4 ПФ Гранично допустимі режими експлуатації 1 Напруга колектор-база 20 В 2 Напруга емітер-база 4 В 3 Напруга між транзисторами 20 В 4 Струм колектора постійний 10 мА 5 Струм колектора імпульсний ti = 30 мкс 40 мА 6 Розсіювана потужність 50 мВт Завужені аналоги 2N4042-2N4045