Кошик

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (сьогодні).

+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Кошик

CRSQ027N10N транзистор MOSFET (N-Channel) 100V; 230A; 454W; 0.27 Ohm) TO247 CRMICRO

94,90 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴

  • В наявності
  • Код: CRSQ027N10N kh or
CRSQ027N10N транзистор  MOSFET  (N-Channel) 100V; 230A; 454W; 0.27 Ohm) TO247 CRMICRO
CRSQ027N10N транзистор MOSFET (N-Channel) 100V; 230A; 454W; 0.27 Ohm) TO247 CRMICROВ наявності
94,90 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

CRSQ027N10N транзистор  MOSFET  (N-Channel) 100V; 230A; 454W; 0.27 Ohm) TO247

 

 

Потужний N-канальний MOSFET транзистор CRSQ027N10N (100V, 230A, TO-247)

CRSQ027N10N — це високоефективний силовий N-канальний польовий транзистор (MOSFET), виготовлений за передовими технологіями, що забезпечують наднизький опір у відкритому стані ($R_{DS(on)}$) та мінімальний заряд затвора. Транзистор розрахований на роботу з високими струмами (до 230 А) та напругою до 100 В.

Завдяки надійному силовому корпусу TO-247, компонент гарантує відмінне відведення тепла за умови використання радіатора, що робить його ідеальним вибором для високонавантажених схем та систем з високим коефіцієнтом корисної дії (ККД).

Основні технічні характеристики:

  • Тип транзистора: N-канал (N-Channel)

  • Максимальна напруга стік-витік ($V_{DSS}$): 100 В

  • Максимальний струм стоку ($I_D$): 230 А (при відповідному охолодженні)

  • Гранично низький опір відкритого каналу ($R_{DS(on)}$): ~2.3–2.7 мОм (типове значення, забезпечує мінімальні втрати потужності)

  • Тип корпусу: TO-247 (вивідний монтаж, THT)

  • Діапазон робочих температур: від $-55^\circ\text{C}$ до $+175^\circ\text{C}$

  • Максимальна розсіювана потужність ($P_{tot}$ або $P_d$): 454 Вт (при температурі корпусу $T_C = 25^\circ\text{C}$ та за умови встановлення на ідеальний радіатор).

Сфера застосування:

Завдяки своїм винятковим характеристикам, MOSFET CRSQ027N10N широко застосовується у сферах, де потрібна висока надійність та комутація великих струмів:

  • Потужні інвертори та перетворювачі напруги (DC/DC та AC/DC).

  • Контролери електродвигунів змінного та постійного струму (контролери для електровелосипедів, електросамокатів, гіроскутерів).

  • Системи управління акумуляторними батареями (BMS плати високої потужності).

  • Джерела безперебійного живлення (UPS).

  • Промислові імпульсні блоки живлення та зварювальні інвертори.

 

Характеристики
Основні
ВиробникMicro
Країна виробникКитай
Канал транзистораN-канал
Максимальна потужність розсіювання190 Вт
Матеріал корпусуПластик
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Data sheet:завантажити PDF в специфікації
MOSFET N-CH500V 17A
Корпус транзистора:ТО247
Інформація для замовлення
  • Ціна: 94,90 ₴