FDA69N25 транзистор MOSFET N-CH 250V 69A (34 mOhms) TO-247 400W (China brand)

Потужний N-канальний MOSFET транзистор FDA69N25 (250V, 69A, 400W, TO-3P)

FDA69N25 — це високоефективний силовими N-канальний польовий транзистор (MOSFET), виконаний за передовою технологією UniFET™ від Fairchild (зараз ON Semiconductor). Цей компонент розроблений для мінімізації опору у відкритому стані (RDS(on) — всього 0.034 Ом) та забезпечення чудових комутаційних характеристик, що значно підвищує ККД кінцевого пристрою.

Транзистор розрахований на високу напругу до 250 В та здатний комутувати струми до 69 А. Завдяки важкому силовому корпусу TO-3P, компонент має високу стійкість до великих імпульсних навантажень та ефективно відводить тепло на радіатор, розсіювану потужність до 400 Вт.

Основні технічні характеристики:

• Виробник: Fairchild / ON Semiconductor

• Тип транзистора: N-канал (N-Channel)

• Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 250 В

• Максимальний струм стоку (ID): 69 А (при TC=25∘C); імпульсний струм до 276 А.

• Максимальна розсіювана потужність (Pd): 400 Вт (вимагає обов'язкового встановлення на радіатор).

• Низький опір відкритого каналу (RDS(on)): макс. 41 мОм (типове 34 мОм)

• Заряд затвора (Qg): 77 нК (типовий)

• Тип корпусу: TO-3P / TO-247 (вивідний монтаж, THT)

• Діапазон робочих температур: від −55∘C до +150∘C

Сфера застосування: Завдяки своїй винятковій надійності, високій швидкості перемикання та колосальній потужності, FDA69N25 масово застосовується у таких вузлах:

• Високо потужні зварювальні інвертори (апарати MMA, TIG, MIG).

• Промислові джерела безперебійного живлення (UPS) та стабілізатори напруги.

• Силова частина інверторів та перетворювачів напруги (DC/DC та AC/DC).

• Електронні системи та контролери керування потужними електродвигунами.

• Імпульсні блоки живлення (SMPS) серверного та промислового обладнання.