Кошик

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (сьогодні).

+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Кошик

CRST073N15N  транзистор  N-канальний MOSFET (150V, 130A, 250W) корпус TO-220 (China brand)

56,90 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: CRST073N15N
CRST073N15N  транзистор  N-канальний MOSFET (150V, 130A, 250W)  корпус TO-220 (China brand)
CRST073N15N  транзистор  N-канальний MOSFET (150V, 130A, 250W) корпус TO-220 (China brand)Готово до відправки
56,90 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Потужний N-канальний MOSFET транзистор CRST073N15N (150V, 130A, 250W), корпус TO-220

CRST073N15N — це високоефективний силовий N-канальний польовий транзистор (MOSFET) нового покоління, розроблений за технологією SkyMOS® (Advanced Trench Technology). Ця передова технологія дозволила досягти надзвичайно низького опору у відкритому стані (RDS(on) — всього 6.3–7.3 мОм) та мінімального заряду затвора. Завдяки цьому транзистор має видатні показники енергоефективності, мінімальний нагрів та надшвидку швидкість перемикання.

Компонент розрахований на високу напругу до 150 В та здатний комутувати постійний струм до 130 А. Популярний та надійний корпус TO-220 з вивідним типом монтажу забезпечує зручність встановлення на плату та відмінне відведення тепла на радіатор, дозволяючи розсіювати потужність до 250 Вт.

Основні технічні характеристики:

  • Тип транзистора: N-канал (N-Channel)

  • Технологія: SkyMOS® (Trench MOSFET)

  • Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 150 В

  • Максимальний струм стоку (ID): 130 А (при температурі корпусу TC=25∘C); ліміт кристалу кремнію.

  • Максимальна розсіювана потужність (Pd): 250 Вт (вимагає обов'язкового охолодження)

  • Низький опір відкритого каналу (RDS(on)): макс. 7.3 мОм (типове значення 6.3 мОм)

  • Тип корпусу: TO-220 (вивідний монтаж, THT)

  • Діапазон робочих температур: від −55∘C до +175∘C (підвищена температурна стійкість)

Сфера застосування: Завдяки комбінації високої напруги (150В), великого струму та рекордно низького опору каналу, CRST073N15N ідеально підходить для високонавантажених вузлів:

  • Силова частина інверторів та перетворювачів напруги (особливо в системах еко-енергетики 48В та сонячних електростанціях).

  • Потужні джерела безперебійного живлення (UPS) та стабілізатори.

  • Високострумові плати захисту та балансування акумуляторів (BMS-модулі для електротранспорту).

  • Контролери керування двигунами постійного струму (електросамокати, електровелосипеди, промислові приводи).

  • Синхронні випрямлячі в імпульсних блоках живлення (SMPS) високої потужності.

Характеристики
Основні
Країна виробникКитай
Канал транзистораN-канал
Максимальна потужність розсіювання237 Вт
Максимально допустима напруга колектор-емітер150 В
Максимально допустимий струм стоку130 А
Матеріал корпусуПластик
Тип монтажуРучний монтаж
Тип транзистораПольовий
ВиробникPD
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
Data sheet:завантажити PDF в специфікації
MOSFET N-CH100V 80A
Корпус транзистора:ТО220
Інформація для замовлення
  • Ціна: 56,90 ₴