КТ639Г транзистор PNP (1,5 А 60 В) (ТО126)

КТ639В транзистор PNP (1,5 А 45 В) 10 W (ТО126) Транзистори КТ639В кремнієві епітаксиально-планарні структури p-n-p посилені. Застосовуються в підсилювачах низької частоти, підсилювачах потужності, відеопідсилювачах, автомобільних електронних пристроях, імпульсних і перемикальних пристроях, у віконних пристроях ЕВМ. Корпус: Найменування КТ639Г ТО-126 Транзистор Функціональний тип біполярний Типорозмір корпусу вітчизняний КТ-27 Структура p-n-p Дата випуску 01.01.1991 Торгова марка РЗПА АО Альфа, Рига ТУ ААО.336.267 ТУ Тип приймання "1" Матеріал корпусу пластмаса Тип виведення жорстке Робоче положення будь-яке Фактичне маркування КТ637Г Наявність паспорта-етикетки упаковальна відка Різновид паковання поліет.пакет Стан паковання самоупаковка Кратність відвантаження 1 Габаритні розміри L*W*H 7,8х2,8х26,4 Висота корпусу 11,1 mm Довжина виводів 15,3 mm Маса виробу, г. 0,6 Вміст золота в 1 шт., gr 0,00393 Зарубітні аналоги 2SA743; 2SA743A Транслітерація Transistor KT639G Інтервал робочих температур від -60 до +125 °C Макс. допустима напруга колектор-база 60 V Макс. допустима напруга еммітер-база 5 V Макс. допустимий постійний струм колектора 1,5 A Максимальна потужність розсіювання 1 W Максимальний зворотний струм, Iобр 0,1 μA Статичний коефіцієнт передавання струму 40-100 Транзистори КТ639Г кремнієві епітоксиально-планарні структури p-n-p універсальні. Застосовуються в підсилювачах низької частоти, підсилювачах потужності, відеопідсилювачах, автомобільних електронних пристроях, імпульсних і перемикальних пристроях, у віконних пристроях ЕВМ.