Кошик
1441 відгук

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (завтра, 17.03).

+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Кошик

КП303Д транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)

71,80 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴

  • В наявності
  • Код: КП303Д
КП303Д транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)
КП303Д транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)В наявності
71,80 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

КП303Д транзистор полевой N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)

  

Наименование

  КП303Д Транзистор
Функциональный тип полевой
Типоразмер корпуса КТ-1-12
Структура p-n-переход и n-канал
Торговая марка No trademark
ТУ Ц20.336.601 ТУ
Вид приемки "1"
Материал корпуса металлостеклянный
Тип вывода гибкий
Покрытие выводов или контактов Au
Рабочее положение любое
Фактическая маркировка 3ДВ2
Состояние упаковки самоупаковка
Кратность отгрузки 1
Цвет изделия черный
Габаритные размеры L*W*H 6х18
Высота корпуса 5 mm
Масса изделия, гр. 0,34
Транслитерация Transistor KP303D
Напряжение сток-исток 25 V
Напряжение затвора 30 V
Ток стока не более 9 mA
Максимальная мощность рассеивания 200 mW
Примечание Дата выпуска не указана
Танзистор КП303Д кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Применяеся во входных каскадах усилителей высокой частоты.
 

Характеристики полевых транзисторов c p-n переходом и каналом p-типа
КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е  КП303Ж, КП303И:

Тип
полевого транзистора
Р МАКС МАКС Предельные значения параметров при Т=25°С Значения параметров при Т=25°С Т ОКР
UСИ МАКС UЗС МАКС UЗИ МАКС IС МАКС UЗИ ОТС g22И IЗ УТ S IС НАЧ C11И C12И КШ
мВт МГц В В В мА В мкСм нА мА/В мА пФ пФ дБ °С
КП303А 200 - 25 30 30 20 0,5…3 - <1 1…4 0,5…2 <6 <2 - -40…+85
КП303Б 200 - 25 30 30 20 0,5…3 - <1 1…4 0,5…2 <6 <2 - -40…+85
КП303В 200 - 25 30 30 20 1…4 - <1 2…5 1,5…5 <6 <2 - -40…+85
КП303Г 200 - 25 30 30 20 <8 - <0,1 3…7 3…12 <6 <2 - -40…+85
КП303Д 200 - 25 30 30 20 <8 - <1 >2,6 3…9 <6 <2 <4 -40…+85
КП303Е 200 - 25 30 30 20 <8 - <1 >4 5…20 <6 <2 <4 -40…+85
КП303Ж 200 - 25 30 30 20 0,3…3 - <5 1…4 0,3…3 <6 <2 - -40…+85
КП303И 200 - 25 30 30 20 0,5…2 - <5 2…6 1,5…5 <6 <2 - -40…+85

Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
• UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
• g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
• C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• Т ОКР - температура окружающей среды.
Характеристики
Основні
Тип транзистораПольовий
Матеріал корпусуМеталоскло
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимальна потужність розсіювання0.2 Вт
Тип монтажуРучний монтаж
Користувальницькі характеристики
Країна походженняСРСР
Специфікація
Інформація для замовлення
  • Ціна: 71,80 ₴