КП302В Транзистори кремнієві планові польові з закривом на основі p-n переходу та каналом n-типу Au (ТО5)

КП302В Транзистори кремнієві планові польові з закривом на основі p-n переходу та каналом n-типу Au (ТО5) Транзистори КП302В кремнієві планові польові з затвором на основі p-n переходу та каналом n-типу. Призначені для застосування в широкосмугових підсилювачах у діапазоні частот до 150 МГц, а також у перемикальних і комутувальних пристроях. Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями. Тип приладу вказується на корпусі. Маса транзизора не більш ніж 1,5 г. Тип корпусу: ТО-5) Технічні умови: РК3.365.233 ТУ. Основні технічні характеристики транзистори КП302ВМ: • Структура транзистори: з p-n-переходом і n-каналом; • Рсі max — розсіювана потужність стик-виток: 300 мВт; • Uзі відс — Напруга відсікання транзизора — напруга між закривом і джерелам: 3... 10 В; • Uсі max — Максимальна напруга стік-висток: 20 В; • Uзі max — Максимальна напруга затвор-висток: 12 В; • Iс нач — Початковий струм стоку: не менш ніж 33 мА; • Iс ост — залишковий струм стоку: 6 мА; • S - Крутизна характеристики: 7... 14 мА/В; • С11и — Вхідна ємність транзизора — місткість між закривом і джерелам: не більш ніж 20 ПФ; • С12і — Місткість зворотного зв'язку у схемі із загальним джерелом у разі короткого замикання на вході змінним струмом: не більш ніж 8 ПФ; • Rcі відкач — Опір стік-виток у відкритому стані: не більш ніж 100 Ом; • tвмик — Час увімкнення транзизора: не більш ніж 4 нс; • tвимк — Час вимкнення транзизора: не більш ніж 5 нс Характеристики польових транзисторів з p-n переходом і каналом p-типу КП302АМ, КП302БМ, КП302ВМ, КП302ГМ: Тип польового транзистора Р МАКС f МАКС Гральні значення параметрів за Т = 25 °C параметрів за Т = 25 °C Т ОКР UСІ МАКС UЗС МАКС UЗІ МАКС AC МАКС UЗІ ВІДС g22І IЗ УТ S IС НАЧ C11І C12И КШ МВт МГц В В В У мА В мКС·А МА/В мА пФ ПФ дБ ·Б ·С КП302АМ 300 20 20 245 18...43 <20 <8 - -60...+100 КП302ВМ 300 20 20 12 - <10 ->33 <20 <20 <8 - -60...+100 КП302ГМ 300 20 20 10 - <7 - <10>7 15...65 <20 <8 - - - -60...+100 Условні позначення електричних параметрів польових транзисторів: • РАКС - максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзизора. • f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзизора. • UСІ МАКС — максимально допустима напруга стік-висток. • UЗС МАКС — максимально допустима напруга затвор-сток. • UЗИ МАКС — максимально допустима напруга затворів-висток. • IC МАКС — максимально допустимий струм стоку польового транзистора. • UЗИ ОТС — напруга відсікання польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення. • g22 — активний складник вихідної провідності польового транзизора в схемі із загальним споконвом. • IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою. • S — крутина характеристики польового транзистори. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом. • IC НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівною нулю й за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення. • C11И — вхідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом. • C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом. • КШ — коефіцієнт шуму транзизора. • Т ОКР — температура довкілля.