КТ505А транзистор PNP (IК. І. max=2А) (UКЕ0 max=300 В) Au (ТО5)

КТ632Б транзистор PNP (350 мА 120В) Au (ТО5) КТ505А Транзистори КТ505А кремнієві планові структури p-n-p перемикачні. Призначені для застосування в джерелах вторинного електроживлення і перемикальних, пристроях. Транзистори КТ505А, КТ505Б, КТ505В випускаються в металевому корпусі зі скляними ізоляторами та гнучкими виведеннями. Тип приладу вказується на корпусі. Маса транзизора в металевому корпусі не більш ніж 2 г. Тип корпусу: КТ-2 (ТО-39). Технічні умови: АА0.336.683 ТУ. Основні технічні характеристики транзизора КТ505А: • Структура транзизора: p-n-p; • РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 1 Вт; • Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 5 Вт; • fг — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним евітером: не менш ніж 20 МГц; • UKer max — Максимальна напруга колектор-емітер за заданого струму колектора та заданого (звичайного) опору в ланцюзі база-емітер: 300 В (0,1 кОм); • Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 5 В; • Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 1 А; • Iк і max — Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 2 А; • Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 100 мкА; • h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: 25... 140; • Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 70 ПФ; • Rке нас — Опір насичення між колектором і емітером: не більш ніж 3,6 Ом Технічні характеристики транзисторів КТ505А, КТ505Б, КТ505В: Тип транзизора Структура Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C Значення параметрів за Тп = 25 °C TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max (РК. Т. max) h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ А А В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С КТ505А p-n-p 1 2 300 300 5 1 (5) 25….140 <1,8 <100 <100 - >20 <70 <500 150 -60…+100 КТ505Б p-n-p 1 2 250 250 5 1 (5) 25….140 <1,8 <100 <100 - >20 <70 <500 150 -60…+100 КТ505В p-n-p 1 2 300 300 5 1 (5) 25….140 <1,8 <100 <100 - >20 <70 <500 150 -60…+100 Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів: • IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора. • IК. І. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзизора. • UKER max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюзі база-емітер. • UКЕ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівною нулю. • UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, рівною нулю. • UЕБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю. • РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзизора. • РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням. • h21Е — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистара. • UКЕ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзистора. • IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера. • IЕБО- зворотний струм емітера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора. • IKER — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-іміттер. • f г — гранічна частота коефіцієнта передавання струму. • СК — місткість колекторного переходу. • СЕ — ємність колекторного переходу. • ТП max — максимально допустима температура переходу. • Т max — максимально допустима температура довкілля.