2Т831А транзистор NPN (4A 30В) Au КТ-3 (ТО-39)

2Т831А транзистор NPN (4A 30 В) Au КТ-3 (ТО-39) КТ831Г Транзистори кремнієві мезаепітоксиально-планарні структури n-p-n посилені. Призначені для застосування в підсилювачах потужності, перетворювачах. Корпус транзизора КТ831А, КТ831Б, КТ831В, КТ831Г металевий зі скляними ізоляторами та гнучкими виведеннями. Маса транзисторів не більш ніж 2 г. Тип корпусу: КТ-2 (ТО-39). Технічні умови: АДБК.432150.125 ТУ. Основні технічні характеристики транзизора КТ831Г: • Структура транзизора: n-p-n; • Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 5 Вт; • fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним евітером: не менш ніж 4 МГц; • Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 100 В; • Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 5 В; • Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 2 А; • h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним імітером: понад 25; • Rке нас — Опір насичення між колектором і евітером: не більш ніж 0,6 Ом Технічні характеристики транзисторів КТ831А, КТ831Б, КТ831В, КТ831Г: Тип транзистористора Структура Грандіальні значення параметрів під час ТП=25 °C Значення параметрів під час ТП=25 °C TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max (РК. Т. max) h21Э UКЭ нас. IКБО IЕБО IКЕРR f Гp. СК СЕ А В В В Вт В мкА мкА мА МГц нФ ПФ Ц Ц ЦШ КТ831А n-p-n 2 4 30 35 5 1 (5) >25 <0,6 <100 <100 ->4 <150 <350 150 -60...+100 КТ831Б n-p-n 2 4 60 5 (5) <0 <1000 ->4 <150 <350 150 -60...+100 КТ831Г n-p-n 2 4 90 100 5 1 (5) >20 <0,6 <100 <1000 ->4 <150 <350 150 -60...+100 Условні позначення електричних параметрів транзисторів: • IK max - максимально допустимий постійний струмектор транзисторів. • IК. І. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзизора. • UKER max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюзі база-емітер. • UКЕ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівною нулю. • UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, рівною нулю. • UЕБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю. • РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзизора. • РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням. • h21Е — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистара. • UКЕ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзистора. • IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера. • IЕБО- зворотний струм емітера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора. • IKER — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-емітер. • f г — гранічна частота коефіцієнта передавання струму. • СК — місткість колекторного переходу. • СЕ — ємність колекторного переходу. • ТП max — максимально допустима температура переходу. • Т max — максимально допустима температура довкілля.