2Т603А транзистор NPN (600mA 30В) Au (ТО5)

2Т603А транзисстор NPN (600mA 30 В) Au (ТО5) 2Т603А Транзистори 2Т603А кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n. Призначені для застосування в імпульсних і перемикальних високочастотних пристроях. Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями. Тип приладу вказується на корпусі. Маса транзизора не більш ніж 1,75 г. Тип корпусу: КТЮ-3-6. Технічні умови: І93.365.003 ТУ. Основні технічні характеристики транзистори 2Т603А: • Структура транзистора: n-p-n; • РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 0,5 Вт; • fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним імітером: не менш ніж 200 МГц; • UKer max — Максимальна напруга колектор-емітер за заданого струму колектора та заданого опору в ланцюзі база-емітер: 30 В (1 кОм); • Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 3 В; • Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max — Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА; • Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 3 мкА; • h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзистори для схем із загальним емітером: 20... 80; • Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 15 ПФ; Вихідний напівпровідниковий матеріал, на основі якого виготовлений транзистор: кремній (Si) Структура напівпровідникового переходу: npn Технічні характеристики транзисторів 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603I: Тип транзистора Структура Граді значення параметрів за Тп = 25 °C Значення параметрів під час Тп = 25 °C TP max T max IK max IK. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ нас. IКБО IЕБО IКЕРR f Гp. СК СЕ мА В В В В Вт В мкА мкА МГц ПФ ПФ ЦП ЦШКС 2Т603А n-p-n 300 600 30 3 0,5 20...80 <0,8 <3 <3 ->200 <15 <40 150 -60...+125 2Т603Б n-p-n 300 600 30 30 3 0,5 60 <0 <3 ->200 <15 <40 150 -60...+125 2Т603Г n-p-n 300 600 15 3 0,5 60...180 <0,8 <3 <3 ->200 <15 <40 150 -60...+125 2Т603I n-p-n 300 30 3 0,5 >20 <1,2 <3 <3 ->200 <15 <40 150 -60...+125 Уловні позначення електричних параметрів траїсторів: • IККК — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора. • IК. І. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзизора. • UKER max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюзі база-емітер. • UКЕ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівною нулю. • UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, рівною нулю. • UЕБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю. • РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзизора. • РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням. • h21Е — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистара. • UКЕ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзистора. • IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера. • IЕБО- зворотний струм емітера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора. • IKER — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-емітер. • f г — гранічна частота коефіцієнта передавання струму. • СК — місткість колекторного переходу. • СЕ — ємність колекторного переходу. • ТП max — максимально допустима температура переходу. • Т max — максимально допустима температура довкілля.