Теплопровідна прокладка під транзистор TO-3 (силікон) Зображення слугують тільки для ознайомлення Зм. специфікації продукту Опис Виробник: Китай Технічні дані: гнучка, ізолювальна Функціональна призначення: прокладка теплопровідна
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Китай |
| Додаткові характеристики | |
| Мінімальна робоча температура | -50 град. |
| Максимальна робоча температура | 125 град. |
| Користувальницькі характеристики | |
| Тип корпусу | Плівкова |
| Мінімальний допуск емкості | 5 % |
| Номінальна робоча напруга | 160 В |
| Тангенс угла диэлектрических потерь | 0.2 |
| Тип ємності | Постійна |
| Максимальний допуск емкості | 10 |
| Кількість в упаковці | 50 |
| Тип конденсатора | Високовольтний |
| Країна походження | СРСР |
Інформація для замовлення
- Ціна: 8 ₴

