КП327Б, Транзистор польовий планрний з двома ізольованими закривами, захищеними діодами, і каналом n-типу

КП327Б, Транзистор польовий планрний з двома ізольованими закривами, захищеними діодами, і каналом n-типу КП327Б Транзистори КП327Б кремнієві плановані з двома ізольованими закривами, захищеними діодами, і каналом n-типу. Призначені для застосування в селекторах каналів телевізійних приймачів дециметрового та метрового діапазонів довжин хвиль і підсилювачів. Випускаються в пластмасовому корпусі з гнучкими смужковими виведеннями. Маркуються кольоровими точками: - КП327А - однієї білої, - КП327Б - двома білими, - КП327В - однієї червоної, - КП327Г - двома червоними. Тип приладу вказується на етикетці. Маса транзизора не більш ніж 0,3 г. Тип корпусу: КТ-29. Технічні умови: АА0.336.516 ТУ. Зображення слугують тільки для ознайомлення См. специфікації продукту Характеристики польових транзисторів із двома ізольованими закривами та каналом n-типу КП327А, КП327Б, КП327В, КП327Г: Тип польового транзисатора Р макс Граничні значення параметрів за Т=25 °C Значення параметрів за Т = 25 °C Токр UСІ макс UЗ1С макс UЗ2С макс UЗ1І макс UЗ2І макс UЗ1 З2 макс IС макс UЗ1І від IЗ1 кач S1 IС нач C11І1 C12І1 Кш Кур мВт В В В В В В В УМА МА/ВА ПФ ДБ ДБ КП 127 16 5-1) <2,3З <1,3 <3,9 >13 -40…+85 КП327Б 200 14 16 16 5 5 - 30 <2,7 <50 >9,5 <17 <3 <2 <2,8 >19 -40…+85 КП327В 200 14 16 16 5 5 - 30 <2,7 <50 >9,5 <17 <2,5 <1,6 <4,5 >12 -40…+85 КП327Г 200 14 16 16 5 5 - 30 <2,7 <50 >9,5 <17 <3,6 <3 <3 >18 -40…+85 Условные позначення електричних параметрів польових транзисторів: • Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори. • UСІ МАКС — максимально допустима напруга стік-висток. • UЗ1С МАКС — максимально допустима напруга перший затвор-сток. • UЗ2С МАКС — максимально допустима напруга другий затвор-сток. • UЗ1І МАКС — максимально допустима напруга перший закрив-висток. • UЗ2І МАКС — максимально допустима напруга другий затвор-висток. • UЗ1 З2 МАКС — максимально допустима напруга між затворами. • IC МАКС — максимально допустимий струм стоку польового транзистора. • UЗ1І ОТС — напруга відсікання польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення. • IЗ1 УТ — струм витоку першого затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою. • S1 — крутина характеристики польового транзистори. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінного струму на виході транзистори в схемі із загальним джерелом. • IC НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівною нулю й за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення. • C11І1 — вхідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом. • C12И2 — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелам. • КШ — коефіцієнт шуму польового транзизора. • КУР — коефіцієнт посилення за потужністю польового транзизора. • Т ОКР — температура довкілля.