КП307Е транзистор кремнієвий епітаксиально-планарний польовий із закривом на осн. p-n переходу та каналом n-типу

Транзистори КП307Е кремнієві епітаксиально-планарні польові з закривом на основі p-n переходу та каналом n-типу. КП307Е Транзистори КП307Е кремнієві епітаксиально-планарні польові з закривом на основі p-n переходу та каналом n-типу. Призначені для застосування у вхідних і вихідних каскадах підсилювачів високої та низької частот із високим вхідним опором. Транзистори КП307Ж загалом призначені для застосування в зарядочутливих підсилювачах та інших пристроях жирової спектрометрії. Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями. Тип приладу вказується на корпусі. Маса транзизора не більш ніж 0,5 г. Тип корпусу: КТ-1-12. Технічні умови: АА0.336.046 ТУ. Основні технічні характеристики транзизора КП307Е: • Структура транзизора: з p-n-переходом і n-каналом; • Рсі max — розсіювана потужність стик-виток: 250 мВт; • Uзи відс — Напруга відсікання транзизора — напруга між закривом і джерелам: не більш ніж 2,5 В; • Uсі max — Максимальна напруга стік-висток: 25 В; • Uзс max — Максимальна напруга затвор-сток: 27 В; • Uзі max — Максимальна напруга затвор-висток: 27 В; • Iс — Строка (постійний): 25 мА • Iс нач — Початковий струм стоку: не більш ніж 5 мА; • S — Крутизна характеристики: 3... 8 мА/В (10В); • С11и — Вхідна ємність транзизора — місткість між закривом і джерелам: не більш ніж 5 ПФ; • С12и - Ємність зворотного зв'язку у схемі із загальним джерелам у разі короткого замикання на вході змінним струмом: не більш ніж 1,5 ПФ Характеристики польових транзисторів з p-n переходом і каналом n-типу КП307А, КП307Б, КП307Г, КП307Е, КП307: Тип польового транзистори Р МАКС f МАКС Граничні значення параметрів за Т = 25 °C Значення параметрів за Т = 25 °C ТКР UСІ МАКС UЗС МАКС UЗІ МАКС AC МАКС UЗИ ВІДС g22І IЗ УТ S IС НАЧ C11І C12И КШ МГц В В В В ВА В МКСМ НА/ВА ПФ ДБ КПА 25 27 27 27 27 27 25 0,5…3 - <1 4…9 3…9 <5 <1,5 - -40…+85 КП307Б 250 400 27 27 27 25 1…5 - <1 5…10 1…5 <5 <1,5 - -40…+85 КП307Г 250 400 27 27 27 25 1,5…6 <200 <1 6…12 1,5…6 <5 <1,5 - -40…+85 КП307Е 250 400 27 27 27 25 <2,5 - <1 3…8 1,5…5 <5 <1,5 - -40…+85 КП307Ж 250 400 27 27 27 25 <7 — <0,1 >4 3...25 <5 <1,5 -40...+85 Условні позначення електричних параметрів польових транзисторів: • Р МАКС - максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистора. • f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзизора. • UСІ МАКС — максимально допустима напруга стік-висток. • UЗС МАКС — максимально допустима напруга затвор-сток. • UЗИ МАКС — максимально допустима напруга затворів-висток. • IC МАКС — максимально допустимий струм стоку польового транзизора. • UЗИ ОТС — напруга відсікання польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення. • g22 — активний складник вихідної провідності польового транзизора в схемі із загальним споконвом. • IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою. • S — крутина характеристики польового транзистори. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінного струму на виході транзистори в схемі із загальним джерелом. • IC НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівною нулю й за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення. • C11І — вхідна ємність польового транзизора. Ємність між закривом і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом. • C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком за короткого замикання за змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом. • КШ — коефіцієнт шуму транзизора. • Т ОКР — температура довкілля.