КТ646А транзистор NPN (1 А 50 В) 1 W (ТО126)

КТ646А, Транзистор NPN, високочастотний, середньої потужності, TO-126 (КТ-27) КТ646А Транзистори КТ646А кремнієві епітоксиально-планарні структури n-p-n посилені. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти, імпульсних і перемикальних пристроях. Випускаються в пластмасовому корпусі з жорсткими виводами. Тип приладу вказується на корпусі. Маса транзизора не більш ніж 1 г. Тип корпусу: КТ-27-2 (ТО-126). Технічні умови: АА0.336.334 ТУ. Основні технічні характеристики транзистора КТ646А: • Структура транзизора: n-p-n; • РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 1 Вт; • fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним евітером: не менш ніж 250 МГц; • Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 60 В; • Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 4 В; • Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 1 А; • Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 10 мкА (60 В); • h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: 40... 200; • Ск — Місткість колекторного переходу: не більш ніж 10 ПФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та евітером: не більш ніж 1,7 Ом; • tк — Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більш ніж 120 пс Технічні характеристики транзисторів КТ646А, КТ646Б, КТ646В: Тип транзисатора Структура Графічні значення параметрів за Тп = 25 °C Значення параметрів за ТП = 25 °C TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ нас. IКБО IЕБО IКЕРR f Гp. СК СЕ А В В В Вт В мкА мкА МГц ПФ ПФ Ц Ц Ц Ц КТ646А n-p-n 1 1,2 50 60 4 1...200 <0,85 <10 <10 ->250 <10 <80 150 -45...+85 КТ646Б n-p-n 1, 40 1, 2 40 4 1, 2 40 4 1 > 150 <0 <0 <10 ->2 <10 <80 -45 150+85+К646 n-1, 1, 40 1, 40 1, 40 1, 40 1... >250 <10 <80 150 -45...+85 Вловні позначення електричних параметрів транзисторів: • IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзистора. • IК. І. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзизора. • UKER max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюзі база-емітер. • UКЕ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівною нулю. • UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, рівною нулю. • UЕБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю. • РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзизора. • РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням. • h21Е — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистара. • UКЕ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзистора. • IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера. • IЕБО- зворотний струм емітера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора. • IKER — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-іміттер. • f г — гранічна частота коефіцієнта передавання струму. • СК — місткість колекторного переходу. • СЕ — ємність колекторного переходу. • ТП max — максимально допустима температура переходу. • Т max — максимально допустима температура довкілля.