МП26Б транзистори p-n-p німецькі сплавні універсальні низькочастотні. Ni

МП26Б Транзистори МП26Б германієві сплавні p-n-p універсальні низькочастотні. Призначені для посилення та перемикання сигналів низької частоти. Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями. Позначення типу приводиться на бічній поверхні корпусу. Маса транзизора не більш ніж 2 г. Тип корпусу: КТЮ-3-6. Технічні умови: ПЖ0336.004 ТУ. Основні технічні характеристики транзизора МП26Б: • Структура транзизора: p-n-p • РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 200 мВт; • fh21б — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схем із загальним імітером і загальною базою: не менш ніж 0,5 МГц; • Uкбопроб — Пробивна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 70 В; • Uебо проб — Пробивна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 70 В; • Iк і max — Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 400 мА; • Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 75 мкА; • h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора в режимі малого сигналу для схем із загальним імітером і загальною базою відповідно: 30...80; • Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 15 пФ; • Rке нас — Опір насичення між колектором і емітером: не більш ніж 1,8 Ом Технічні характеристики транзисторів МП26, МП26А, МП26Б: Тип транзизора Структура Грані значення параметрів за ТП = 25 °C Значення параметрів за ТП = 25 °C IК. макс. IК. и. макс. UКЕР макс. UЕБЕ макс. РК. макс. h21Е UКБ IЕ UКЕ нас. IКБО fгp мА мА В В мВт В мА В мКА МГц МП26 p-n-p 150 400 70 70 200 13...25 35 1,5 - 75 МП26А p-n-p 150 400 70 70 200 20...50 35 1,5 — 75 0,25 МП26Б p-p 150 400 70 70 30...80 35 1,5 — 75 °C транзисторів: • Iк. макс — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора. • Iк. і макс максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора. • UкеR. макс — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого (звичайного) опору в ланцюзі база-імітатор транзистора. • Uкео. макс — максимальна напруга між колектором і еміттером транзизора у разі розімкнутого кола бази та заданого струму імітера. • Uебо. макс — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю. • РК. макс — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзизора. • РК. і макс максимально допустима імпульсна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори. • h21Е — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистара. • h21Е — коефіцієнт передавання струму біполярного транзистори в режимі малого сигналу в схемі із загальним імітером. • Uкб — напруга колектор-база транзизора. • UкеR. макс — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого (звичайного) опору в ланцюзі база-імітатор транзистора. • Ie — струм емітера транзизора. • Iк — постійний струм колектора транзизора. • Uke. нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзистора. • Iкбо — зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера. • fгро — гранічна частота коефіцієнта передавання струму. • fh21 — гранична частота коефіцієнта передавання струму біполярного транзизора.