КТ816А транзистор PNP (3 А 40 В) 25 W (ТО126)

КТ816В транзистор PNP (3А 40 В) 25 W (ТО126) Наїмен. тип Uкбо (і), В Uкео (і), В Iкmax (і), мА Pкmax (т), Вт h21е Iкбо, мкА fг., МГц Uкen, В КТ816А p-n-p 40 3000 (6000) 25275 100 3 K1 КТ81600 (60) (6000) 1(25) 25-275 100 3 <1 КТ816В 60 60 3000 (6000) 1(25) 25-275 100 3 <1 КТ816Г 100 90 3000 (6000) 1(25) 25-275 100 3 <1 Корпус: Uкбо — Максимально допустима напруга колектор-база Uкбої — Максимально допустима імпульсна напруга колектор-база Uкео — Максимально допустима напруга колектор-емітер Uкеої — Максимально допустима імпульсна напруга колектор-емітер Iкmax — Максимально допустимий постійний струм колектора Iкmax і — Максимально допустимий імпульсний струм колектора Pкmax — Максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора без тепловідведення Pкmax т — Максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням h21e — Статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистори в схемі з загальним еміттером Iкбо — Зворотний струм колектора fгро — гранічна частота коефіцієнта передавання струму в схемі із загальним імітером Uкen — напруга насичення колектор-емітер