
BT151-650R 12A/650V THYRISTOR TO-220 (NXP Semiconductors)
27,80 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
- В наявності
- Код: BT151-650R (12A/650V)
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
BT151-650R 12A/650V THYRISTOR TO-220 (NXP-Philips) Виробник: NXP Категорія продукту: Тиристоривідповідає: Деталі Номінальна періодична напруга в закритому стані VDRM: 650 В У закритому стані струм витоку @ VDRM IDRM: 0,5 мА Падіння напруги в прямому: 1,75 В Відпіральна напруга (VGT): 1.5 В Максимальна напруга закрив пікова зворотна напруга: 5 В Відмикальний струм (IGT): 15 мА Холдинг (Ih, макс): 20 мА Монтажу: SMD/SMT Упаковка/блок : СОТ-78 Упаковка : Рельс Одноразова у відкритому стані: 132 Фабричне паковання: 50 Інші назви товару No: BT151-650R, Manufacturer: NXP Rated Repetititive Off-State Voltage VDRM: 650 V Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: 0. m5A Forward Drop: 175 V Gate Trig Voltage (Vgt): 1.5 V Maximum Gate Peak Inverse Voltage: 5 V Gate Trigger Current (Igt): 15 mA Holding Current (Ih Max): 20 mA Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-78 Packaging: Rail Non Repetitive On-State Current: 110 A Factory Pack Quantity: 50 Part # Aliases: BT151-650R,
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Спосіб монтажу | Пайка |
| Країна виробник | Китай |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Матеріал корпусу | Кераміка |
| Тип тиристора | Діак |
| Охолодження | Природне |
| Користувальницькі характеристики | |
| VDRM repetitive peak off-state voltage: | 500В |
| RMS on-current state | 12А |
| Виробник: | NXP Semiconductors |
| Технічна інформація: | завантажити PDF файл |
| Тип корпусу: | ТО220 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 27,80 ₴



