КТ815Г транзистор NPN (3 А 100 В) 10 W (ТО126)

КТ815Г транзистор NPN (3 А 100 В) 10 W (ТО126) Наїмен. тип Uкбо (і), В Uкео (і), В Iкmax (і), мА Pкmax (т), Вт h21е Iкбо, мкА fг., МГц Uкen, В КТ815А n-p-n 40 1500(3000) 40275 3 <0. КТБ 4500(3) 1500(3000) 1(10) 40-275 50 3 <0.6 КТ815Г 100 85 1500(3000) 1(10) 30-275 50 3 <0.6 Корпус: Uкбо — Максимально допустима напруга колектор-база Uкбої — Максимально допустима імпульсна напруга колектор-база Uкео — Максимально допустима напруга колектор-еміттер Uкеоу — Максимально допустима імпульсна напруга колектор-емітер Iкmax — Максимально допустимий постійний струм колектора Iкmax і — Максимально допустимий імпульсний струм колектора Pкmax — Максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора без тепловідведення Pкmax т — Максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням h21e — Статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистори в схемі із загальним імітером Iкбо — Зворотний струм колектора fгро — гранічна частота коефіцієнта передавання струму в схемі із загальним імітером UКен — напруга насичення колектор-емітер