К174ун4a (TAA300) УНЧ (Підсилювач Низькою Частоти): 1 x 1 Вт (4Ω), 0.7А, 8 ... 10В

До1744da (TAA300) УНЧ (підсилювач Низької Частоти): 1 x 1Вт (4Ω), 0.7 А, 8...10 В

Тип: УНЧ (підсилювач Низької Частоти)

Опис: 1 x 1Вт(4Ω), 0.7А, 8…10В

Аналог: TAA300

Мікросхеми являють собою підсилювачі потужності звукової частоти з вихідною
потужністю 1 Вт (К174УН4А) і 0,7 Вт (К174УН4Б) на навантаженні 4 Ом. Містять 32 
інтегральних елементів. 
Призначення виводів:
1 — корекція Icc виходів транзисторів; 
2 - зворотний зв'язок; 
3 - тепловідвід; 
4 - вхід; 
5 — фільтр; 
6 — вольтодобавка; 
7 — напруга живлення (+Uп); 
8 — вихід; 
9 — напруга живлення (-Uп). 

Типова схема ввімкнення ІМС до174УН4 
Електричні параметри:
Номінальна напруга живлення...................... 9 ±10% 
Струм споживання за Up = 9 В.............................. 10 мА 
Коефіцієнт посилення за Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Uвх=0,1 В.....4...40 
Нестабільність коефіцієнта посилення напруги 
за Uп = 9 В, fвх=1 кГц, T=+25...55 °C....................... 
Коефіцієнт гармонік за Uп = 9 В, fвх=1 кГц: 
 ...... ≤ 2% 
 К174УН4Б за Uвих=1,7 В.......................... ≤ 2% 
Вхідний опір за Up = 9 В, fвх = 1 кГц............. ≥ 10 кОм 
Вихідна потужність за RH = 40 мА: 
 К174УН4А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Вт 
 К174УН4Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,7 Вт 
Діапазон робочих частот............ 30...20*103 Гц 
Коефіцієнт корисної дії: 
 К174УН4А за Pових=1 Вт........................... 50% 
 К174УН4Б за Pових=0,7 Вт.......................... 35% Тепловий опір: 
кристалл-корпус . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 °C/Вт 
кристал-середовище....................................... 135 °C/Вт 
Температура довкілля........................ -25...+55 °C 
Гранично допустимі режими експлуатації:
Напруга живлення................................8,1.9,9 В 
у граничному режимі................................ 5,4..10 В 
Вихідна напруга: 
 К174УН4А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 2 В 
 у граничному режимі............................ 2,2 В 
 К174УН4Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 1,7 В 
 у граничному режимі............................ 1,87 В 
Амплітуда струму в навантаженні: 
 К174УН4А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 840 мА 
 у граничному режимі............................ 900 мА 
 К174УН4Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 710 мА 
 у граничному режимі............................ 750 мА 
................................ +125 °C 
Рекомендації щодо застосування:
Під час проведення монтажних операцій допускається не більш ніж два перепаяння 
виведення мікросхем. 
Температура паяння 235 ±5 °C, відстань від корпусу до місця паяння не менш ніж 
1,5 мм, тривалість паяння не більш ніж 6 с. 
Під час експлуатації мікросхеми має бути передбачений захист від 
випадкового збільшення напруги живлення. 
Експлуатація мікросхем допускається тільки із застосуванням тепловідведення. 
Для усунення високочастотної генерації необхідно зменшувати 
індуктивність дротів, що з'єднують виведення 7 з джерелом живлення, 
використовувати тільки короткі дроти, екранувати дріт, що з'єднує 
вхід мікросхеми із генератором сигналів. 
Регулювання коефіцієнта посилення напруги на низьких частотах може 
був проведений зміною ємностей конденсаторів C2 і С4. Ослаблення 
посилення на верхній гранічній частоті 20 кГц — не більш ніж 3 дБ. Допускається 
регулювання коефіцієнта посилення напруги за допомогою зміни 
опору резистору зворотного зв'язку R2 і місткості конденсатора C2. 
Допустиме значення статичного потенціалу 200 В.