2Т632А (Ni) транзистор PNP (IК. И. max=0.35А) (UКЭ0 max=120В) (ТО5)

2Т632А (Ni) транзистор PNP (IК. И. max=0.35А) (UКЭ0 max=120В) (ТО5) 2Т632А Транзистори 2Т632А кремнієві епітаксиально-планарні структури p-n-p посилені. Призначені для застосування в лінійних широкосмугових підсилювачах. Транзистор 2Т632А, КТ632Б випускаються в металевому корпусі з гнучкими виведеннями та скляними ізоляторами. Тип приладу вказується на корпусі. Маса транзизора не більш ніж 1,5 г, Тип корпусу: KT-2. Технічні умови: АА0.339.222 ТУ. Основні технічні характеристики транзизора 2Т632А: • Структура транзизора: p-n-p; • РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 0,5 Вт; • fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним імітером: не менш ніж 200 МГц; • UKer max — Максимальна напруга колектор-емітер за заданого струму колектора та заданого опору в ланцюзі база-емітер: 120 В (1 кОм); • Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 5 В; • Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 100 мА; • Iк і max — Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 350 мА; • Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення еміттера: не більш ніж 1 мкА (120 В); • h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: понад 50; • Ск — Місткість колекторного переходу: не більш ніж 5 ПФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 25 Ом; • tк — Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більш ніж 100 пс Технічні характеристики транзисторів 2Т632А, КТ632Б: Тип транзизора Структура Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C Значення параметрів за Тп = 25 °C TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max (РК. Т. max) h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ А А В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С 2Т632А p-n-p 0,1 0,35 120 120 5 0,5 50...450 <0,5 <1 <100 <10 >200 <8 <50 150 -60...+125 КТ632Б p-n-p 0,1 0,35 120 120 5 0,5 50...450 <0,8 <1 <100 <10 >200 <8 <50 150 -40…+85 Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів: • IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора. • IК. І. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзизора. • UKER max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюзі база-емітер. • UКЕ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівною нулю. • UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, рівною нулю. • UЕБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю. • РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзизора. • РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням. • h21Е — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистара. • UКЕ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзистора. • IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера. • IЕБО- зворотний струм емітера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора. • IKER — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-іміттер. • f г — гранічна частота коефіцієнта передавання струму. • СК — місткість колекторного переходу. • СЕ — ємність колекторного переходу. • ТП max — максимально допустима температура переходу. • Т max — максимально допустима температура довкілля.