2Т830В транзистор PNP (4A 70В) Au КТ-3 (ТО-39) (5-я приймання)

2Т830В транзистор PNP (4A 30В) Au КТ-3 (ТО-39) (5-я приймання) 2Т830В Транзистори 2Т830В кремнієві мезаепітаційно-планарні структури p-n-p. Призначені для застосування в підсилювачах потужності, джерелах вторинного електроживлення, перетворювачах. Корпус транзистора 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металевий зі скляними ізоляторами та гнучкими виведеннями. Маса транзизора не більш ніж 2 г. Тип корпусу: КТ-2-7 (TO-39). Технічні умови: АА0.339.139 ТУ. Основні технічні характеристики транзизора 2Т830В: • Структура транзизора: p-n-p; • Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 5 Вт; • fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним імітером: не менш ніж 4 МГц; • Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 80 В; • Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 5 В; • Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 2 А; • Iк і max — Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 4 А; • Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 100 мкА (80В); • h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: понад 25; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 1,2 Ом Технічні характеристики транзисторів 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г: Тип транзизора Структура Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C Значення параметрів за Тп = 25 °C TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max (UКЭ0 гр.) UКБ0 max UЭБ0 max РК max (РК. Т. max) h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ А А В В В Вт В мА мА мА МГц пФ пФ °С °С 2Т830А p-n-p 2 4 30 (25) 35 5 1 (5) >25 <0,6 <0,1 <1 - >4 150 350 150 -60...+125 2Т830Б p-n-p 2 4 50 (45) 60 5 1 (5) >25 <0,6 <0,1 <1 - >4 150 350 150 -60...+125 2Т830В p-n-p 2 4 70 (60) 80 5 1 (5) >25 <0,6 <0,1 <1 - >4 150 350 150 -60...+125 2Т830Г p-n-p 2 4 90 (80) 100 5 1 (5) >20 <0,6 <0,1 <1 - >4 150 350 150 -60...+125 Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів: • IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора. • IК. І. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзизора. • UKER max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюзі база-емітер. • UКЕ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівною нулю. • UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, рівною нулю. • UЕБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю. • РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзизора. • РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням. • h21Е — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистара. • UКЕ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзистора. • IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера. • IЕБО- зворотний струм емітера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора. • IKER — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-емітер. • f г — гранічна частота коефіцієнта передавання струму. • СК — місткість колекторного переходу. • СЕ — ємність колекторного переходу. • ТП max — максимально допустима температура переходу. • Т max — максимально допустима температура довкілля.